Wikipedie

Polovodičová paměť: Porovnání verzí

Interaktivně procházet historii
← Přejít na předchozí porovnáníPřejít na další porovnání →
Smazaný obsah Přidaný obsah
VizuálníWikitext
Bez shrnutí editace
Styl
Řádek 1:
{{Wikifikovat}}
'''Polovodičová paměť''' je v [[Informatika|informatice]] zařízení pro zápis, uchování a čtení [[Data|dat. K uchování dat]], se musíkterými nějakýmpracuje způsobem[[procesor]] zapsat, potřebné údaje lze znovu vybavit, tzn. přečíst (čte nějaké jiné zařízení, např. mikroprocesor, ne člověk)počítače. Polovodiče rozdělujeme na [[Unipolární tranzistor|unipolární]] a [[Unipolární tranzistor|bipolární, které se dále rozdělují na technologii TTL a ECL]].
 
== DěleníPrincipy polovodičovýchčinnosti pamětí ==
Paměti lze rozdělit podle různých hledisek, která jsou uvedena v článku [[elektronická paměť]]. Dále bude rozebrána funkce jednotlivých druhů polovodičových pamětí a vysvětlen jejich fyzikální princip.
=== Dle změny dat ===
==== Paměti RWM (Read/Write Memory)====
Které se používají pro čtení i zapís dat za běžného provozu v počítači. Záznam i čtení mají stejnou dobu trvání při stejných podmínkách paměti, avšak při vypnutí napájení obsah paměti trvale zmizí.
==== Pevné paměti typu ROM (Read Only Memory) ====
ROM paměti slouží pouze pro čtení dat, která byla do nich dříve uložená. Bývají většinou typu RAM. U ROM paměti data při odpojení napájení nezmizí.
 
=== Druhy pamětíROM ===
Jsou unipolární paměti, u kterých je na průsečníkuprůsečíku adresových linek X, Y tranzistor s tenkou vrstvou nebo tlustá vrstva oxidu hlinitého, která slouží k oddělení elektrody. Při použití tlusté izolační vrstvy vyžadujeme velké prahové spínací napětí. Na prusečíkuprůsečíku adresových linek X a Y je bud tranzistor vytvořený tenkou vrstvou nebo funkčně nahrazen vytvořením tlusté vrstvy oxidu hlinitého, který odděluje elektrodu. Je-li tenká vrstva a tranzistor adresován výběrovým signálem, pak tranzistor sepne a proud přes něj prochází k nulovému potenciálu.▼
=== Paměti ROM ===▼
▲Jsou unipolární paměti, u kterých je na průsečníku adresových linek X, Y tranzistor s tenkou vrstvou nebo tlustá vrstva oxidu hlinitého, která slouží k oddělení elektrody. Při použití tlusté izolační vrstvy vyžadujeme velké prahové spínací napětí. Na prusečíku adresových linek X a Y je bud tranzistor vytvořený tenkou vrstvou nebo funkčně nahrazen vytvořením tlusté vrstvy oxidu hlinitého, který odděluje elektrodu. Je-li tenká vrstva a tranzistor adresován výběrovým signálem, pak tranzistor sepne a proud přes něj prochází k nulovému potenciálu.
 
=== Paměti PROM ===
Jsou bipolární paměti, u kterých v emitorech tranzistorů jsou tavné pojistky, pomocí kterých zvýšeným napájecím napětím naprogramujeme integrovaný obvod. Lze programovat pouze jednou.
 
=== Paměti EPROM ===
Jsou unipolární paměti PROM, u kterých je možné vícenásobné přeprogramování pomocí vymazáním programu např. ultrafialovým zářením. Jsou založeny na principu buňky FAMOS. Čip se pozná pomocí okénka na pouzdře.
 
=== Paměti EEPROM ===
Slouží ke čtení i zápisu a mazání programu je u nich mnohonásobně rychlejší, než u paměti EPROM. Mazání se provádí pomocí elektronických impulzů. Flash EEPROM je vylepšená verze EEPROM, u ní je doba zápisu i čtení velmi krátká.
 
▲=== Paměti ROMSRAM ===
=== Statické paměti RAM (Random Access Memory) ===
StatickéStatická paměti RAM (SRAM) je bipolární pamětia jsouje tvořenytvořena buňkami z bistabilních klopných obvodů. RAM paměti s libovolným přístupem jednotlivá místa paměti se liší jen adresou, kterou lze volit náhodně, nezávisle na adresách použitých předtím nebo poté.
RAM paměti s libovolným přístupem jednotlivá místa paměti se liší jen adresou, kterou lze volit náhodně, nezávisle na adresách použitých předtím nebo poté.
 
=== DRAM ===
=== Dynamická paměť RAM – DRAM (Dynamic Random Access Memory) ===
Dynamická paměť RAM (DRAM) je založena na fyzikálním principu nabíjení kondenzátoru. Takto vzniklý potenciál, který je ekvivalentní napětí, odpovídá logické 0 nebo 1. Jelikož vlivem svodů je tento potenciál vybíjen, je nutno tuto operaci v paměťové buňce obnovovat (refresh). Obnova probíhá tak, že jsou paralelně sejmuty obsahy paměťových buněk na řádku, v budiči zesíleny a opět zapsány na původní místo. Rychlost obnovy paměťových míst je několik setkrát za sekundu. Tyto paměti jsou levnější než statické. V současné době máme dva typy SIMM a SIPP. Přístupová doba SIMM 60-70ns.
 
[[Kategorie:Elektronická paměť]]
Citováno z „https://cs.wikipedia.org/wiki/Polovodičová_paměť“