Polovodičová paměť: Porovnání verzí

Paměť [[ROM]] je [[Unipolární tranzistor|unipolární]] paměť, u které je na průsečíku adresových linek X, Y [[tranzistor]] s tenkou vrstvou nebo tlustá vrstva [[Oxid hlinitý|oxidu hlinitého]], která slouží k oddělení [[Elektroda|elektrody]]. Při použití tlusté [[Elektrický izolant|izolační]] vrstvy vyžadujeme velké prahové spínací [[Elektrické napětí|napětí]]. Na průsečíku adresových linek X a Y je bud tranzistor vytvořený tenkou vrstvou nebo funkčně nahrazen vytvořením tlusté vrstvy oxidu hlinitého, který odděluje elektrodu. Je-li tenká vrstva a [[tranzistor]] adresován výběrovým signálem, pak tranzistor sepne a proud přes něj prochází k nulovému potenciálu.

 

Jsou bipolární paměti, u kterých v emitorech tranzistorů jsou tavné pojistky, pomocí kterých zvýšeným napájecím napětím naprogramujeme integrovaný obvod. Lze programovat pouze jednou.

 

Slouží ke čtení i zápisu a mazání programu je u nich mnohonásobně rychlejší, než u paměti EPROM. Mazání se provádí pomocí elektronických impulzů. Flash EEPROM je vylepšená verze EEPROM, u ní je doba zápisu i čtení velmi krátká.

 

 

=== DRAM ===