RAM: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
Obsah stránky nahrazen textem „{{Různé významy|tento=druhu počítačových pamětí|stránka=Ram}} '''RAM''' ({{Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|'''random-access memory'''}}, tj. pamě…“ |
m Editace uživatele Kamilus3 (diskuse) vráceny do předchozího stavu, jehož autorem je 94.230.156.3 |
||
Řádek 1:
{{Různé významy|tento=druhu počítačových pamětí|stránka=Ram}}
'''RAM''' ({{Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|'''random-access memory'''}}, tj. paměť s přímým přístupem nebo paměť s libovolným výběrem) je v [[
| příjmení = Kryštoufek
| jméno = Karel
| odkaz na autora =
| titul = Výpočetní a řídicí technika
| datum vydání = 1982-01-01
| datum aktualizace =
| datum přístupu = 2012-12-27
| vydavatel = SNTL
| místo = Praha
| jazyk =
}}</ref> Prakticky je v současnosti termín RAM používán téměř výlučně jako označení [[Operační paměť|operační paměti]] vytvořenou pomocí polovodičových pamětí, kde se přístupová doba pro zápis i čtení pohybuje v řádech maximálně stovek [[Sekunda|nanosekund]]. Za paměť RAM nemůžeme považovat např. mechanický [[pevný disk]], protože zde je obrovský rozdíl mezi rychlostí [[Sekvenční přístup|sekvenčního přístupu]] a rychlostí přímého přístupu. Příkladem paměti, která nemá konstantní vybavovací dobu, je magnetická páska (čte se postupně, používá sekvenční přístup).
Podle běžného užití a podle normy ISO2382-12:1988 se jedná o „zařízení pro čtení zápis“, přičemž termín RAM se nepoužívá ve smyslu původní zkratky (tedy „paměť s náhodným přístupem“), ale ve smyslu „paměť s přímým přístupem“.<ref>{{Citace monografie
| příjmení = Minihofer
| jméno = Oldřich
| odkaz na autora =
| titul = ANGLICKO-ČESKÝ výkladový slovník výpočetní techniky
| datum vydání = 1990-01-01
| datum aktualizace =
| datum přístupu =
| vydavatel = SNTL
| místo = Praha
| jazyk =
}}</ref> Označení „paměť s náhodným přístupem“ není v češtině vhodné, protože vracená data nejsou náhodná, ale odpovídají obsahu požadované adresy (tj. slovní spojení by mělo vyjádřit, že je možné požadovat data z libovolné adresy bez výrazného vlivu na rychlost, které je problémem sekvenčního přístupu).
== Rozdělení RAM ==
Podle toho, zda paměť uchovává informace i po vypnutí napájení, dělíme paměti na:
* volatilní – při vypnutí napájení se informace smaže; takto se chovají polovodičové paměti RWM-RAM
* nevolatilní – informace vydrží vypnutí napájení; tuto vlastnost mají magnetické paměti (magnetické disky, paměti na tenkých vrstvách a v minulosti používané [[ferit]]ové paměti a bubnové paměti)
[[Polovodič]]ové paměti RAM jsou rychlejší, ale jsou volatilní a jsou dražší než diskové paměti při přepočtu ceny za jeden [[bit]]. Používají se především jako [[Operační paměť|operační paměti]] [[počítač]]ů. Slouží tedy k uchování údajů, které počítač potřebuje pro zpracovávání právě prováděné úlohy.
Údaje, které je potřeba uchovat i po vypnutí počítače, musí být uloženy do [[nevolatilní paměť|nevolatilní paměti]] – obvykle na [[pevný disk]]. Jeho nižší rychlost je kompenzována vyšší kapacitou a nezávislostí na napájení.
== Statická a dynamická RAM ==
Polovodičové paměti RAM rozdělujeme podle technologie uchovávání informace na statickou ([[SRAM]], {{Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|''static RAM''}}) a dynamickou ([[DRAM]], {{Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|''dynamic RAM''}}).
Statická RAM (SRAM) je realizována jako [[Klopný obvod#Bistabilní klopný obvod (BKO)|bistabilní klopný obvod]]. Při použití technologie [[CMOS]] má minimální [[příkon]] a krátkou přístupovou dobu. Kvůli nutnosti používat alespoň dva [[tranzistor]]y pro realizaci jedné buňky paměti (jednoho [[bit]]u) je poměr cena/kapacita vysoký. Statické paměti proto plní často úlohu cache mezi procesorem a dynamickou pamětí RAM (označuje se L1, L2, L3), kde je nutná velká rychlost a vzhledem k omezenému rozsahu není její vyšší cena kritická.
Dynamická RAM (DRAM) je levnější a výrobně mnohem jednodušší, než SRAM, protože buňky jsou realizovány pomocí parazitních kapacit (jeden tranzistor). Nevýhodou je, že čas od času se musí obsah každé paměťové buňky obnovovat ({{Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|''refresh''}}). Obnova, kterou zajišťuje speciální obvod (aby nebyl zbytečně zatěžován procesor), probíhá hromadně po celých řádcích, takže pokles výkonu paměti není dramatický (při obnově není paměť dostupná). Při čtení dochází k vymazání obsahu buňky, obnova proto musí probíhat také po každém čtení (proto je čtení 1,5× delší než zápis). Uchování informace je založeno na fyzikálním principu nabíjení [[kondenzátor]]u, konkrétně na parazitní (Müllerově) kapacitě řídícího tranzistoru. Takto vzniklý potenciál, který je ekvivalentní napětí, odpovídá logické 0 nebo 1. Jelikož vlivem svodů (podle svodového odporu) je tento potenciál vybíjen, je nutno obnovování informace v paměťové buňce často opakovat (několik set krát za sekundu). Obnova probíhá tak, že jsou paralelně sejmuty obsahy paměťových buněk na řádku, v budiči zesíleny a opět zapsány na původní místo.
V osobních počítačích se jako vnitřní paměť používají téměř výhradně paměti DRAM.
== Dělení DRAM modulů do počítače ==
{{Upravit část}}
[[Soubor:RAM n.jpg|right|thumb|300px|Různé typy pamětí RAM. Odshora: DIP 16-pin, SIPP, SIMM 30-pin, SIMM 72-pin, DIMM, DDR DIMM.]]
Jaké paměti použijeme se vždy řídí použitou [[čipová sada|čipovou sadou]] na základní desce a základní deskou samotnou.
* [[DIPP]], [[DILL]], [[SIPP]]
* [[SIMM]] – (72pin, 30pin) – (Single Inline Memory Module)
* [[DIMM]] – 3,3 V a 5 V – (Dual Inline Memory Module) – Jedná se defakto o dva moduly SIMM integrované na jedné desce. Důvodem je obsazení celé šířky sběrnice.
** [[SDR SDRAM|SDR]] – (Single Data Rate), spíše označovány jako [[SDRAM]] (Synchronous Dynamic RAM), starší typ pamětí typu [[DIMM]] (3,3, nebo 5 V), 168 pinů, kapacity od 16 [[Megabyte|MB]] do 512 [[Megabyte|MB]], rychlost od 66 [[Hertz|MHz]] do 133 [[Hertz|MHz]], dva zářezy jako pojistka.
** [[DDR SDRAM|DDR]] – (Double Data Rate) novější typ pamětí typu SDR, 3,3 V, 184pinů (ale jiné umístění zářezů, místo dvou jen jeden), kapacity od 64 do 2048 MB. Vylepšení je v tom, že přenáší data na náběžné i koncové hraně taktovacího impulsu.
** [[DDR2]] – novější typ pamětí DDR, podobné jako DDR, mají vyšší frekvence, stále se používají ve starších strojích. Nevýhodou DDR2 jsou vyšší časy latence než u DDR.
** [[DDR3]] – Maximální frekvence 3840MHz.
** [[DDR4]] - cena je vysoká a výkon je zatím srovnatelný s DDR3. Vyvinuty společností JEDEC. Prodej zahájen v roce 2014 a vytlačení DDR3 se očekává v roce 2016. Maximální takt je 4266MHz při 1,05V
** [[DDR5]] - nejnovější, nejrychlejší, používá se u nejrychlejších počítačových sestav.
* [[SO-DIMM]] – DIMM paměti používané pro notebooky (zmenšená velikost), 72pin nebo 144 a 200 pin, další dělení stejně jako DIMM výše
* [[RIMM]] – [[RDRAM|Rambus DRAM]]. Oproti DDR DIMMu má jen 16 bitů přenosové šířky, ale zato je výrazně rychleji taktován.
Dnešní rychlé paměti ([[DDR SDRAM|DDR]] – [[GDDR4|DDR4]]) pracují v jednotkách [[Sekunda#Nanosekunda|nanosekund]], proto jejich čtení/zápis vyžaduje speciální [[časování RAM|časování]].
== Označení ==
Když výrobci pamětí přestali s výrobou SDRAM označovaných jako PC100 a PC133, změnili současně i způsob označování rychlosti pamětí. SDRAM měli v označení typu i rychlost. Např. PC100 má 100 MHz vnitřní i vnější frekvenci. Paměti DDR jsou označovány odlišně, takže PC2100 má přenosovou rychlost 2100 MB/s na frekvenci 133 MHz, má ale „double data transfer rate“, což znamená, že se chová jako 266MHz. PC2700 má 166 MHz frekvenci (333 MHz [[Front Side Bus]]) a PC3200 má frekvenci 200 MHz (400 MHz FSB).
== Reference ==
<references />
== Související články ==
* [[Operační paměť]]
== Externí odkazy ==
* {{Wikislovník|heslo=RAM}}
* {{Commonscat}}
* [http://www.fi.muni.cz/usr/pelikan/ARCHIT/TEXTY/ORGPAM.HTML Organizace pamětí v PC]
* http://www.blogovnik.cz/pruvodce-hardware-operacni-pamet-ram-simm-dimm-so-dimm-rimm-cleneni-z-hlediska-osaze-201307201514.php
[[Kategorie:Počítačová paměť]]
[[Kategorie:Zkratky]]
| |||