Darlingtonovo zapojení

zapojení dvou bipolárních tranzistorů, které se vyznačuje velkým proudovým zesílením

Darlingtonovo zapojení je zapojení dvou bipolárních tranzistorů, které se vyznačuje velkým proudovým zesílením. Využívá se například při konstrukci zesilovačů, zejména v jejich koncových stupních, kde je potřeba velké proudové zesílení, a tedy velký vstupní odpor. Nevýhodou tohoto zapojení je výsledné napětí mezi bází a emitorem, které je součtem napětí mezi bází a emitorem obou tranzistorů.[1][2]

Popis zapojeníEditovat

Darlingtonovo zapojení lze vytvořit ze dvou tranzistorů o stejné polaritě (tedy dva NPN nebo dva PNP). Báze tranzistoru Q1 je bází celého takto vytvořeného "supertranzistoru" a emitor tranzistoru Q1 je spojen s bází tranzistoru Q2. Kolektory tranzistorů Q1 a Q2 jsou spojeny a tvoří kolektor celého tranzistoru a konečně emitor tranzistoru Q2 je emitorem celého zapojení. Celkové proudové zesílení β je rovno:[1][2]

 

OdkazyEditovat

ReferenceEditovat

  1. a b MALÍK, Luděk. Optimalizace napěťového zesilovače. Brno, 2020 [cit. 2022-05-12]. Bakalářská práce. Vysoké učení technické v Brně - Fakulta elektrotechnická. Vedoucí práce Ing. Soňa Šedivá, Ph.D.. Dostupné online.
  2. a b HOSPODKA, Jiří. Darlingtonovo zapojení [online]. Fakulta elektrotechnická ČVUT [cit. 2022-05-12]. Dostupné online. 

Související článkyEditovat

Externí odkazyEditovat