Verze z 20. 1. 2013, 18:03 editovat Ejzep (diskuse \| příspěvky) 157 editací m →‎Pouzdra integrovaných obvodů: preklep ← Přejít na předchozí porovnání		Verze z 8. 2. 2013, 04:42 editovat zrušit editaci Jj14 (diskuse \| příspěvky) Prověření uživatelé 88 592 editací m typo Přejít na další porovnání →
Řádek 62: Mez integrace se uvádí v hustotě součástek na plochu. Tato hodnota nemůže být nekonečná a to nejen kvůli konečné přesnosti výrobních postupů, ale také kvůli určitým fyzikálním předpokladům pro fungování samotných součástek - zejména pak polovodičů. Existuje tedy míra nejmenšího možného tranzistoru, kterou nesmíme překročit, aby tranzistor byl stále funkční - a to i v případě, že jsme schopni vyrobit součástku menší. * '''Difůsní délka (neboli žravost)''' - konstantní pro každý materiál omezující rozměry tranzistoru. Toto kritérium není úplně mezí integrace, protože omezuje velikost báze shora. Pokud by byla báze ~~šiřší~~širší, rekombinuje (zanikne) elektron dříve než ji překoná - proud z mezi kolektorem a emitorem by nemohl protékat. <math> L_N = \frac {1} {\sqrt {p_B}} </math> Řádek 68: <math> p_B </math> - koncentrace nosičův bázi * '''Earlyho efekt''' - Jev omezující miniaturizaci tranzistoru. Pokud je koncentrace nosičů v bázi nízká, rozšiřuje se vyčerpaná oblast PN přechodu (u NPN tranzistoru jde ~~opřechod~~o přechod báze-kolektor) výrazněji do báze a zmenšuje tak její efektivní šířku. Dochází tak k deformaci výstupních charakteristik tranzistoru, zesilovacího činitele a kolektorového proudu - tyto parametry se stávají závislými na napětí mezi bází a kolektorem. Šířka báze musí být tedy větší než vyčerpaná oblast. * '''Debyeho délka''' - Omezení související s vyčerpanou oblastí PN přechodu. Způsobuje, že je nutné umístit elektrody ~~dourčité~~do ~~vzdáenosti~~určité vzdálenosti od PN přechodu a vyčerpané oblasti, která se kolem něj tvoří. <math> L_d = \frac {1} {e} {\sqrt {\frac {\varepsilon k T} {n+p}}} </math>

Integrovaný obvod: Porovnání verzí