Verze z 7. 9. 2010, 17:22 editovat Cifri~cswiki (diskuse \| příspěvky) 3 editace doplněno viz také ← Přejít na předchozí porovnání		Verze z 20. 10. 2010, 21:24 editovat zrušit editaci JAnDbot (diskuse \| příspěvky) Roboti 1 711 609 editací m Robot opravil přesměrování na Oxid - Změněn(y) odkaz(y) na Oxidy; kosmetické úpravy Přejít na další porovnání →
Řádek 8: Mezi nejdůležitější vlastnosti CMOS patří vysoká odolnost proti [[šum]]u a nízká spotřeba ve statickém stavu. Více energie se spotřebovává pouze na přepínání mezi zapnutým a vypnutým stavem [[tranzistor]]u, proto CMOS nespotřebovává tolik energie jako například [[nMOS]] nebo [[TTL (logika)\|TTL]]. CMOS také umožňuje vyšší hustotu prvků na čipu. Trojice „metal-oxid-semiconductor“ odkazuje na fyzickou strukturu prvních (a dnes překvapivě také posledních) tranzistorů: [[kov]]ová [[řídicí elektroda]] na izolantu z [[~~oxid~~Oxidy\|oxidu]]u na [[polovodič\|polovodivém materiálu]]. Místo kovu se dlouho - až do [[65nm]] technologie - používal jiný materiál, [[polysilikon]], ale přesto se termíny MOS a CMOS používaly jako odkaz na původní technologii. V dnešní době se kovové elektrody vrací s [[high-k]] [[dielektrikum\|dielektriky]] ohlášenými firmami [[IBM]] a [[Intel]] pro nastupující [[45nm]] technologii. == Historie == Řádek 48: == Literatura == * Jedlička Petr: Přehled obvodů řady CMOS 4000 - 1. díl - řada 4000 až 4099, [[BEN - technická literatura]], 1994-2005, ISBN 80-7300-167-5 * Jedlička Petr: Přehled obvodů řady CMOS 4000 - 2. díl - řada 41xx, 43xx, 45xx, 40xxx, [[BEN - technická literatura]], 1994-2005, ISBN 80-7300-168-3 == Viz také ==

CMOS: Porovnání verzí