William Bradford Shockley: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m →Tranzistor: typografické úpravy |
m Robot: oprava nadpisu dle žádosti ze dne 4. 6. 2020; kosmetické úpravy |
||
Řádek 8:
| místo úmrtí = [[Stanfordova univerzita|Stanford]], [[Kalifornie]], [[Spojené státy americké]]
}}
'''William Bradford Shockley''' ([[13. únor]]a [[1910]] – [[12. srpen|12. srpna]] [[1989]]) byl americký fyzik a vynálezce. Spolu s [[John Bardeen|Johnem Bardeenem]] a [[Walter Houser Brattain|Valterem H. Brattainem]], objevil [[tranzistor]], za který všichni získali v roce [[1956]] [[Nobelova cena za fyziku|Nobelovu cenu za fyziku]]. Shockleyovy pokusy obchodně využít tento objev vedly ke vzniku "[[Silicon Valley]]" v Kalifornii, které se stalo ohniskem elektrotechnické inovace. Ve svém pozdějším životě, byl Shockley profesorem ve [[Stanfordova univerzita|Stanfordu]], a také se stal neochvějným zastáncem [[Eugenika|eugeniky]].<ref>William B. Shockley, 79, Creator of Transistor and Theory on Race", New York Times, August 14, 1989. Retrieved on 2007-07-21. "William Bradford Shockley, who shared a Nobel Prize in physics for his role in the creation of the transistor and earned the enmity of many for his views on the genetic differences between the races, died of cancer of the prostate at his home in California on Saturday. He was 79 years old and lived on the campus of Stanford University."</ref>
==
Shockley se narodil v [[Londýn]]ě, ale byl vychován v Kalifornii. Svůj bakalářský titul z přírodních věd získal na [[California Institute of Technology]] v roce 1932. Ještě jako student si vzal v srpnu 1933 Iowan Jean Bailey. V březnu 1934 se jim narodilo děvčátko Jane Alison. Svůj doktorský (PhD) titul získal Shockley v roce 1936 na [[Massachusettský technologický institut|Massachusettském technologickém institutu]].
Pak se připojil k výzkumné skupině vedené [[Clinton Joseph Davisson|Clintonem Davissonem]] v [[Bellovy laboratoře|Bellových laboratořích]] v [[New Jersey]]. V roce 1938 získal svůj první patent. Po vypuknutí [[Druhá světová válka|druhé světové války]] se zapojil do výzkumu radaru v laboratořích ve Whippany v New Jersey. V květnu 1942 opustil Bellovy laboratoře a stal se ředitelem výzkumu na [[Columbia University]].
== Tranzistor ==
Krátce po skončení války v roce 1945, Bellovy laboratoře vytvořily skupinu pro výzkum fyziky pevných látek, pod vedením Shockleyho a chemika Stanleyho Morgana. Dalšími členy skupiny byli [[John Bardeen|Bardeen]] a [[Walter Houser Brattain|Brattain]], fyzik Gerald Pearson, chemik Robert Gibney, elektrotechnický expert Hilbert Moore a několik techniků. Jejich cílem bylo najít alternativu ke křehkým [[elektronka|elektronkovým]] zesilovačům. Jejich první pokusy byly založeny na Shockleyově myšlence, že vnější [[elektrické pole]] na polovodiči ovlivní jeho vodivost. Jejich experimenty však záhadně selhávaly.
Skupina začala studovat atomové struktury, které se na povrchu a uvnitř látek liší. Hledané výsledky se začaly dostavovat v okamžiku, když začali obklopovat body dotyku mezi [[polovodič]]em a přívodními vodiči [[elektrolyt]]em. Moore postavil okruh, který jim dovolil snadno měnit frekvenci vstupního signálu a navrhl, aby používali [[glykol boritan]], viskózní chemikálii, která se nevypařovala. Nakonec získali důkaz schopnosti zesílení signálu, když Pearson, podle návrhu Shockleyho,<ref>Crystal Fire p. 132</ref> uvedl napětí na kapičku glykol boritanu umístěnou přes [[Přechod P-N|P-N přechod]]. V prosinci 1947 Bardeen a Brattain – pracovali bez Shockleyho – uspěli ve stvoření hrotového tranzistoru, který zesiloval signál.
Další měsíc začali patentoví zástupci Bellových laboratoří pracovat na patentových přihláškách. Brzo objevili, že Shockleyho vliv elektrického pole na polovodič byl předpovídán a patentován v roce 1930 [[Julius Edgar Lilienfeld|Juliem Lilienfeldem]], který si svůj MESFET patentoval v Kanadě již v 22. října 1925.<ref>US patent 1745175 "Method and apparatus for controlling electric current" first filing in Canada on 22.10.1925</ref><ref>{{Citace elektronického periodika |titul={title} |url=http://chem.ch.huji.ac.il/~eugeniik/history/lilienfeld.htm |datum přístupu=22-12-2007 |url archivu=https://web.archive.org/web/20061002065548/http://chem.ch.huji.ac.il/~eugeniik/history/lilienfeld.htm |datum archivace=02-10-2006 |nedostupné=ano }}</ref> Přesto byly podány celkem čtyři žádosti o patent. Na žádné z těchto přihlášek se však nevyskytovalo Shockleyovo jméno. To Shockleyho rozzlobilo, protože práce byla založena na jeho nápadu s účinkem elektrického pole.
Ve stejnou dobu tiše pokračoval ve vlastní práci na stavbě různých druhů tranzistoru založených na spojení místo bodového dotyku. Předpokládal, že tento typ tranzistoru bude více komerčně úspěšný. Shockley pracoval na teorii elektronů a děr v polovodičích, která byla nakonec vydána jako 558 stránková monografie v roce 1950. V té Shockley vypracoval rozhodující myšlenky týkající se pohybu elektronů a děr a [[diferenciální rovnici]], kterou se řídí tok elektronů v pevných krystalech.
Shockleyho tato práce vedla k myšlence "sendvičového tranzistoru“ a ke vzniku klasického tranzistoru. Jeho objev byl oznámen 4. června 1951 a Shockley obdržel 25. září 1951 za jeho objev patent. Pro výrobu tohoto tranzistoru byla vyvinuta [[Difuze|difúzní]] metoda a tento tranzistor brzy zastínil tranzistor s bodovými kontakty. Shockley pokračoval jako vedoucí skupiny v Bellových laboratořích ještě dva roky.
Řádek 43 ⟶ 42:
Shockley byl zařazen časopisem Time mezi 100 nejvíce vlivných lidí 20. století.
Obdržel čestné doktoráty na [[University of Pennsylvania]], [[Rutgers University]] v New Jersey a [[Gustavus Adolphus Colleges]] v Minnesotě.
Oliver E. Buckley Solid State Physics Prize od American Physical Society.
Maurice Liebman Memorial Prize od Institute of Radio Engineers.
Holley Medal of the American Society of Mechanical Engineers v roce 1963.
| |||