PMOS: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
Schémata hradel |
Napájecí napětí podle anglické Wiki |
||
Řádek 22:
Díky asymetrickým vstupním logickým úrovním jsou také PMOS obvody citlivé na šum.
Většina [[integrovaný obvod|integrovaných obvodů]] PMOS vyžaduje napájecí napětí 17 až 24 V.<ref>{{Citace elektronické monografie
| vydavatel = Fairchild
| titul = Application Note 77
| url = https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-77.pdf "CMOS, the Ideal Logic Family"
| datum = 1983
| strana = 6
}}</ref>
Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory [[Intel 4004]] a [[Intel 8008]]. Po zvládnutí náročnější technologie výroby byly obvody PMOS okolo roku 1975 rychle vytlačeny logikou [[NMOS]], která je díky vyšší pohyblivosti [[elektron]]ů jako [[nosič náboje|nosičů náboje]] rychlejší než PMOS a umožňuje další miniaturizaci ([[HMOS]]). Dalším krokem bylo použití technologie [[CMOS]], která kombinací tranzistorů NMOS a PMOS na jednom čipu mnohonásobně snižuje statickou spotřebu, zároveň však díky pokroku technologie a možnosti vytvářet složitější struktury dosahuje vyšší rychlosti než původní obvody CMOS.
Řádek 29 ⟶ 37:
=== Reference ===
{{Překlad|en|PMOS logic|
<references />
=== Související články ===
* [[MOSFET]]
* [[NMOS]]
| |||