RAM: Porovnání verzí

Polovodičové paměti RAM rozdělujeme podle technologie uchovávání informace na statické ([[SRAM]], {{Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|''static RAM''}}) a dynamické ([[DRAM]], {{Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|''dynamic RAM''}}).

 

U statické RAM (SRAM) je paměťová buňka realizována jako [[Klopný obvod#Bistabilní klopný obvod (BKO)|bistabilní klopný obvod]]. Při použití technologie [[CMOS]] má téměř ideální vlastnosti – minimální [[příkon]], velkou šumovou odolnost a krátkou přístupovou dobu. Paměťová buňka se však v provedení [[CMOS]] obvykle skládá ze šesti tranzistorů (klopný obvod ze dvou invertorů po dvou tranzistorech a dva další tranzistory pro přístup), což způsobuje mnohem vyšší cenu na bit než u dynamické RAM. Proto se statické RAM používají pouze v nasazeních, kdy je požadována maximální rychlost a vyšší cena není kritická; příkladem je cache mezi procesorem a dynamickou pamětí RAM (označovaná L1, L2, L3), nebo operační paměť výkonných počítačů, kde není cena rozhodující.

 

Dynamická RAM (DRAM) je levnější a výrobně mnohem jednodušší, než SRAM, protože buňky jsou realizovány pomocí parazitních kapacit (jeden tranzistor). Nevýhodou je, že se obsah každé paměťové buňky musí pravidelně obnovovat ({{Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|''refresh''}}). Obnova, kterou zajišťuje speciální obvod (aby nebyl zbytečně zatěžován procesor), probíhá hromadně po celých řádcích, takže pokles výkonu paměti není dramatický (při obnově není paměť dostupná). Při čtení dochází k vymazání obsahu buňky, obnova proto musí probíhat také po každém čtení (proto je čtení 1,5× delší než zápis). Uchování informace je založeno na fyzikálním principu nabíjení [[kondenzátor]]u, konkrétně na parazitní (Müllerově) kapacitě řídícího tranzistoru. Takto vzniklý potenciál, který je ekvivalentní napětí, odpovídá logické 0 nebo 1. Jelikož vlivem svodů (podle svodového odporu) je tento potenciál vybíjen, je nutno obnovování informace v paměťové buňce často opakovat (několik set krát za sekundu). Obnova probíhá tak, že jsou paralelně sejmuty obsahy paměťových buněk na řádku, v budiči zesíleny a opět zapsány na původní místo.

 

 

{{Upravit část}}

Jaké paměti použijeme se vždy řídí použitou [[čipová sada|čipovou sadou]] na základní desce a základní deskou samotnou.