Unipolární tranzistor: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m jen detail, info získané na hodině elektrotechniky značka: editace z Vizuálního editoru |
+Schematické značky |
||
Řádek 10:
Nevýhodou (danou právě vysokou vstupní [[impedance|impedancí]]) je možnost snadného poškození unipolárních tranzistorů statickým nábojem, zvláště při manipulaci před zapojením do obvodů.
== Typy unipolárních tranzistorů ==
Řádek 27 ⟶ 25:
* '''[[MESFET]]''' (metal semiconductor FET, unipolární tranzistor s izolovaným hradlem)
Elektrody S, G a D jsou [[Kovy|kovové]] a ve styku s [[Polovodič|polovodičovým]] materiálem. Uplatňuje se zde tzv. [[Schottkyho jev]] vznikající na přechodu polovodič-kov. Vzniká zde jednostranně propustná bariéra, jež je regulována napětím přivedeným na řídící elektrodu G. Řízená Schottkyho bariéra umožňuje průchod proudu mezi elektrodami D a S nebo mu zabraňuje.
== Schematické značky ==
{{float_begin|side=left}}
|- align="center"
|[[Soubor:JFET P-Channel Labelled.svg|80px]]||[[Soubor:IGFET P-Ch Enh Labelled.svg|80px]]||[[Soubor:IGFET P-Ch Dep Labelled.svg|80px]]||P-kanál
|- align="center"
|[[Soubor:JFET N-Channel Labelled.svg|80px]]||[[Soubor:IGFET N-Ch Enh Labelled.svg|80px]]||[[Soubor:IGFET N-Ch Dep Labelled.svg|80px]]||N-kanál
|- align="center"
|JFET||MOSFET s indukovaným kanálem||MOSFET s vodivým kanálem
{{float_end|caption=Schematické značky tranzistorů FET}}
<br clear="all" />
== Popis vlastností pomocí admitanční matice ==
Řádek 42 ⟶ 52:
== Související články ==
{{commonscat}}
* [[Tranzistor]]
* [[Bipolární tranzistor]]▼
* [[Polovodič]]
* [[PN přechod]]
* [[Dioda]]
▲* [[Bipolární tranzistor]]
* [[Fototranzistor]]
* [[Tyristor]]
* [[Integrovaný obvod]]
* [[PMOS]]
* [[NMOS]]
[[Kategorie:Tranzistory]]
| |||