Unipolární tranzistor: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m - Soubor:Vnitřní_stavba_unipolárního_tranzistoru.jpg (na Commons smazal commons:User:Érico Júnior Wouters, důvod: No license since 14 January 2013) |
m - Soubor:Mesfet.jpg (na Commons smazal commons:User:Érico Júnior Wouters, důvod: No license since 14 January 2013) |
||
Řádek 25:
*** s indukovaným kanálem
** '''[[MNSFET]]'''
* '''[[MESFET]]''' (metal semiconductor FET, unipolární tranzistor s izolovaným hradlem)
Elektrody S, G a D jsou [[Kovy|kovové]] a ve styku s [[Polovodič|polovodičovým]] materiálem. Uplatňuje se zde tzv. [[Schottkyho jev]] vznikající na přechodu polovodič-kov. Vzniká zde jednostranně propustná bariéra, jež je regulována napětím přivedeným na řídící elektrodu G. Řízená Schottkyho bariéra umožňuje průchod proudu mezi elektrodami D a S nebo mu zabraňuje.
|