Unipolární tranzistor: Porovnání verzí

Smazaný obsah Přidaný obsah
m - Soubor:Vnitřní_stavba_unipolárního_tranzistoru.jpg (na Commons smazal commons:User:Érico Júnior Wouters, důvod: No license since 14 January 2013)
m - Soubor:Mesfet.jpg (na Commons smazal commons:User:Érico Júnior Wouters, důvod: No license since 14 January 2013)
Řádek 25:
*** s indukovaným kanálem
** '''[[MNSFET]]'''
 
[[File:Mesfet.jpg|thumb|Vnitřní stavba MeSFET tranzistoru. Depletion layer - vyčerpaná oblast, conduction channel - vodivý kanál, insulating substrate - podkladový substrát, n-type silicon - [[křemík]] obohacený o volné elektrony vhodnou příměsí, secondary voltage - řídící napětí]]
* '''[[MESFET]]''' (metal semiconductor FET, unipolární tranzistor s izolovaným hradlem)
Elektrody S, G a D jsou [[Kovy|kovové]] a ve styku s [[Polovodič|polovodičovým]] materiálem. Uplatňuje se zde tzv. [[Schottkyho jev]] vznikající na přechodu polovodič-kov. Vzniká zde jednostranně propustná bariéra, jež je regulována napětím přivedeným na řídící elektrodu G. Řízená Schottkyho bariéra umožňuje průchod proudu mezi elektrodami D a S nebo mu zabraňuje.