William Bradford Shockley: Porovnání verzí

Odebráno 5 bajtů ,  před 7 lety
m
{{Překlady}} hned pod nadpis Reference; kosmetické úpravy
m (r2.7.1) (Robot: Přidávám oc:William Shockley)
m ({{Překlady}} hned pod nadpis Reference; kosmetické úpravy)
}}
 
'''William Bradford Shockley''' ([[13. únor]]a [[1910]] – [[12. srpen|12. srpna]] [[1989]]) byl americký fyzik a vynálezce. Spolu s [[John Bardeen|Johnem Bardeenem]] a [[Walter Houser Brattain|Valterem H. Brattainem]], objevil [[tranzistor]], za který všichni získali v roce [[1956]] [[Nobelova cena za fyziku|Nobelovu cenu za fyziku]]. Shockleyovy pokusy obchodně využít tento objev vedly ke vzniku "[[Silicon Valley]]" v Kalifornii, které se stalo ohniskem elektrotechnické inovace. Ve svém pozdějším životě, byl Shockley profesorem ve [[Stanford University|Stanfordu]], a také stal se neochvějným zastáncem [[Eugenika|eugeniky]].<ref>William B. Shockley, 79, Creator of Transistor and Theory on Race", New York Times, August 14, 1989. Retrieved on 2007-07-21. "William Bradford Shockley, who shared a Nobel Prize in physics for his role in the creation of the transistor and earned the enmity of many for his views on the genetic differences between the races, died of cancer of the prostate at his home in California on Saturday. He was 79 years old and lived on the campus of Stanford University." </ref>
 
== Raný život ==
Skupina začala studovat atomové struktury, které se na povrchu a uvnitř látek liší. Hledané výsledky se začaly dostavovat v okamžiku, když začali obklopovat body dotyku mezi [[polovodič]]em a přívodními vodiči [[elektrolyt]]em. Moore postavil okruh, který jim dovolil snadno měnit frekvenci vstupního signálu a navrhl, aby používali [[glykol boritan]], viskózní chemikálii, která se nevypařovala. Nakonec získali důkaz schopnosti zesílení signálu, když Pearson, podle návrhu Shockleyho,<ref>Crystal Fire p. 132 </ref> uvedl napětí na kapičku glykol boritanu umístěnou přes [[Přechod P-N|P-N přechod]]. V prosinci 1947 Bardeen a Brattain - pracovali bez Shockleyho - uspěli ve stvoření hrotového tranzistoru, který zesiloval signál.
 
Další měsíc začali patentoví zástupci Bellových laboratoří pracovat na patentových přihláškách. Brzo objevili, že Shockleyho vliv elektrického pole na polovodič byl předpovídán a patentován v roce 1930 [[Julius Edgar Lilienfeld|Juliem Lilienfeldem]], který si svůj MESFET patentoval v Kanadě již v 22. října 1925.<ref>US patent 1745175 "Method and apparatus for controlling electric current" first filing in Canada on 22.10.1925</ref><ref>http://chem.ch.huji.ac.il/~eugeniik/history/lilienfeld.htm</ref> Přesto byly podány celkem čtyři žádosti o patent. Na žádné z těchto přihlášek se však nevyskytovalo Shockleyovo jméno. To Shockleyho rozzlobilo, protože práce byla založena na jeho nápadu s účinkem elektrického pole.
Ve stejnou dobu tiše pokračoval ve vlastní práci na stavbě různých druhů tranzistoru založených na spojení místo bodového dotyku. Předpokládal, že tento typ tranzistoru bude více komerčně úspěšný. Shockley pracoval na teorii elektronů a děr v polovodičích, která byla nakonec vydána jako 558 stránková monografie v roce 1950. V té Shockley vypracoval rozhodující myšlenky týkající se pohybu elektronů a děr a [[diferenciální rovnici]], kterou se řídí tok elektronů v pevných krystalech.
 
Shockleyho tato práce vedla k myšlence "sendvičového tranzistoru“ a ke vzniku klasického tranzistoru. Jeho objev byl oznámen 4. června 1951 a Shockley obdržel za 25. září 1951 na jeho objev patent. Pro výrobu tohoto tranzistoru byla vyvinuta [[difúze|difúzní]] metoda a tento tranzistor brzy zastínil tranzistor s bodovými kontakty. Shockley pokračoval jako vedoucí skupiny v Bellových laboratořích ještě dva roky.
 
== Ocenění ==
V roce 2002 skupina asi 30 kolegů, kteří se s ním setkali od roku 1956, zavzpomínali na Shockleyho a jeho ústřední roli v odstartování revoluci v informačních technologiích a jejich organizátor prohlásil, že "Shockley je ten, kdo přinesl křemík do [[Silicon Valley]]."<ref>http://www.stanford.edu/dept/news/pr/02/shockley1023.html </ref>
Shockley byl zařazen časopisem Time mezi 100 nejvíce vlivných lidí 20. století.
Obdržel čestné doktoráty na [[University of Pennsylvania]], [[Rutgers University]] v New Jersey a [[Gustavus Adolphus Colleges]] v Minnesotě.
Oliver E. Buckley Solid State Physics Prize od American Physical Society.
Maurice Liebman Memorial Prize od Institute of Radio Engineers.
 
== Související články ==
* [[Shockleyova rovnice]]
 
== Reference ==
{{překladPřeklad|en|William Shockley|178392319}}
<references />
 
{{Nositelé Nobelovy ceny za fyziku 1951-1975}}
{{Osobnost roku Time 1951–1975}}
{{DEFAULTSORT:Shockley, William Bradford }}
 
[[Kategorie:Narození 1910]]
1 085 123

editací