Unipolární tranzistor: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
Bez shrnutí editace |
→Typy unipolárních tranzostorů: detAILNEJSI POPIS TYPU |
||
Řádek 16:
== Typy unipolárních tranzostorů ==
[[File:Jfet.jpg|thumb|JFET - vnitřní stavba a schématická značka. S - source, G - gate, D - drain]]
* '''[[JFET]]''' (junction FET, unipolární tranzistor s přechodovým hradlem)
Regulace proudu probíhá přivedením napětí mezi svorky G a S. Přivedeme-li na řídící elektrodu závěrné napětí (polarita dle druhu tranzistoru: s řídící elektrodou typu P nebo N), dojde k rozšíření [[PN přechod|PN přechodu]]. Pokud je toto rozšíření dostatečně rozsáhlé (dostatečně vysoké řídící napětí), dojde k zahrazení nebo omezení proudu protékajícího mezi elektrodami S a D.
* '''[[MISFET]]''' (unipolární tranzistor s přechodovým hradlem)
** '''[[TFT]]'''
** '''[[MOSFET]]''' (metal oxide semiconductor FET)
*** s vodivým kanálem
*** s indukovaným kanálem
** '''[[MNSFET]]'''
[[File:Mesfet.jpg|thumb|Vnitřní stavba MeSFET tranzistoru. Depletion layer - vyčerpaná oblast, conduction channel - vodivý kanál, insulating substrate - podkladový substrát, n-type silicon - [[křemík]] obohacený o volné elektrony vhodnou příměsí, secondary voltage - řídící napětí]]
* '''[[MESFET]]''' (metal semiconductor FET, unipolární tranzistor s izolovaným hradlem)
Elektrody S, G a D jsou [[Kovy|kovové]] a ve styku s [[Polovodič|polovodičovým]] materiálem. Uplatňuje se zde tzv. [[Schottkyho jev]] vznikající na přechodu polovodič-kov. Vzniká zde Schottkyho usměrňující jev - jednostranně propustná bariéra, jež je regulována napětím přivedeným na řídící elektrodu G. Řízená Schottkyho bariéra umožňuje průchod proudu mezi elektrodami D a S nebo mu zabraňuje.
== Popis vlastností pomocí admitanční matice ==
| |||