Hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů: Porovnání verzí

'''Hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů''', {{Vjazyce2Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|'''Secondary ion mass spectrometry'''}}, zkráceně '''SIMS''', je technika sloužící k analýze složení povrchů pevných látek a tenkých vrstev pomocí vyprašováním povrchu bombardujícími ionty a shromažďováním (analyzováním) vyražených sekundárních iontů. Sekundární ionty emitované z povrchu materiálu, pomocí "vyprašovacího" procesu, se používající k analýze chemického složení materiálu. Tyto částice však představují jen malý zlomek částic emitovaných ze vzorku. Sekundární ionty se měří hmotnostním spektrometrem určující prvkové, izotopové, nebo molekulární složení povrchu. SIMS je jedna z nejcitlivějších analýz povrchů, která je schopna detekovat prvky, i když jsou přítomny řádově jen v nanometrových oblastech.

Většinu stopových prvků lze detekovat, když dosahují ve zkoumaném vzorku hustoty od 10¹² až 10¹⁶ atomů na krychlový centimetr. Toto číslo je ale dosti závislé na použité metodě, typu primárního svazku, analyzovaném vzorku atd. Velikost "odprášené" části povrchu je závislá na velikosti proudu a rozměrech paprsku z primárního iontového děla. A to je zase závislé na použití zdroje iontů (Cs⁺, O₂^-, Ga⁺ nebo skupiny Bi jako Bi₃^2-).

* Používá se také pro zjišťování tloušťky vrstev molekul nebo prvků. Zkoumají se například vrstvu oxidu křemíku na syrovém křemíku, tak touto metodou lze zjistit šířku této vrstvy. Povrch vzorku se odprašuje a v detektoru zjišťujeme, jestli stále detekujeme ionty kyslíku. Až se přestanou tyto ionty detekovat, tak je jasné, že byla odprášena celá vrstvu oxidu křemíku. Tento čas je pak přímo úměrný tloušťce této vrstvy.