Pěstování monokrystalů: Porovnání verzí

Smazaný obsah Přidaný obsah
zalozeni clanku o pestovani monokrystalu, vypis zakladnich metod pro objemove krystaly
 
propojeni a opravy
Řádek 1:
Podle vlastností a [[chemické složení|složení]] výchozí fáze lze rozdělit růst [[monokrystal|monokrystalů]] pevných látek takto:
 
Převážně pro [[objemový monokrystal|objemové monokrystaly]]:
# Růst z tavenibnytaveniny čistých látek nebo z taveniny obsahující příměsy.
# Růst z roztoků [[krystalizace|krystalizující]] látky v čistém rozpouštědle nebo rozpouštědle obsahujícím přímesy.
 
Převážně pro růst [[epitaxe|epitaxní]] vrstvy:
# Růst z par ([[atom|atomy]] a [[molekula|molekuly]] vytvářejí [[krystal|krystal]])
# Růst z par (při chemickém rozkladu [[pára|par]] [[sloučenina|sloučenin]] jehož výsledkem je [[krystalizace]] látky)
 
Základním principem metod pěstování [[objemový monokrystal|objemových monokrystalů]] je řízení [[krystalizace]] tak, aby se potlačila nekontrolovatelná (samovolná) [[nukleace]]. [[Fázová přeměna]] je tedy iniciována jediným [[krystalizační zárodek|krystalizačním zárodkem]], tzv. ''matečným krystalem''. Jedná se tedy o růst krystalu na zárodku.
 
 
Řádek 28:
Používá se obvykle v těch případech, kdy by zvýšení teploty nevyhovovalo vstupním látkám. Při pěstování objemových krystalů je tato metoda v současnosti nahrazována jinými.
 
'''Nekompletní!'''