Monokrystal: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
iw, obr |
Bez shrnutí editace |
||
Řádek 9:
Pro splnění podmínky vzniku kvalitního monokrystalu kterou je [[planární růst]] je nutné aby nebylo [[podchlazení]] velké, z toho pak plyne, že běžné rychlosti růstu kvalitního monokrystalu jsou řádově milimetry za hodinu. Pro zajištění toku tepla z kapalné fáze do krystalu musí být trvale zajištěn teplotní [[gradient]] na [[mezifázové rozhraní|mezifázovém rozhraní]], proto je nutné teplo řízeným způsobem odvádět. Dále je nutné, aby se vznikající krystal posouval směrem od taveniny, nebo aby se posouval teplotní gradient v opačném směru. Krystalová orientace matečného [[krystalizační zárodek|zárodku]] přímo určuje orientaci rostoucího [[krystal|krystalu]].
''vizte též:'' [[Pěstování monokrystalů]]
[[Kategorie:Krystalizace]]
|