Verze z 10. 9. 2006, 04:06 editovat 147.32.127.215 (diskuse) Bez shrnutí editace ← Přejít na předchozí porovnání		Verze z 10. 9. 2006, 04:07 editovat zrušit editaci 147.32.127.215 (diskuse) Bez shrnutí editace Přejít na další porovnání →
Řádek 7: Základní podmínkou vzniku monokrystalu je řízení přemeny taveniny takovým způsobem, aby se celá [[krystalizace]] uskutečnila z jednoho [[krystalizační zárodek\|zárodku]]. Toho dosáhneme přiložením rovinného povrchu zárodku o nepatrně nižší teplotě než je rovnovážná teplota krystalizace, což má za následek snížení teploty kapalé fáze v okolí styčné plochy a tím splnění termodynamické podmínky růstu krystalu. Rychlost růstu sleduje rychlost posuvu [[mezifázové rozhraní\|mezifázového rozhraní]] a ta je zase dána velikostí [[podchlazení]]. Pro splnění podmínky vzniku kvalitního monokrystalu kterou je [[planární růst]] je nutné aby nebylo [[podchlazení]] velké, z toho pak plyne, že běžné rychlosti růstu kvalitního monokrystalu jsou řádově milimetry za hodinu. Pro zajištění toku tepla z kapalné fáze do krystalu musí být trvale zajištěn teplotní [[gradient]] na [[mezifázové rozhraní\|~~fázovém~~mezifázovém rozhraní]], proto je nutné teplo řízeným způsobem odvádět. Dále je nutné, aby se vznikající krystal posouval směrem od taveniny, nebo aby se posouval teplotní gradient v opačném směru. Krystalová orientace matečného [[krystalizační zárodek\|zárodku]] přímo určuje orientaci rostoucího [[krystal\|krystalu]]. [[Kategorie:Krystalizace]]

Monokrystal: Porovnání verzí