Ústav fotoniky a elektroniky Akademie věd České republiky: Porovnání verzí

V 70-tých letech byly úspěšně připraveny monokrystalické vrstvy GaN a mezi prvními na světě byly připraveny monokrystalické vrstvy GaAlN na safíru. Tyto materiály jsou v současné době používany k přípravě nejúčinnějších zdrojů viditelného záření a nahrazují žárovky.Do tohoto výzkumu jsme již neměli možnost zasáhnout.

Od počátku osmdesátých let byl řešen úkol vývoje polovodičových laserů pro optické komunikace v ČR. Spojeným úsilím tří vědeckých oddělení se postupně podařilo připravit GaAlAs/GaAs lasery pracující v kontinuálním režimu při pokojové teplotě (J.Novotný), bezdislokační podložky GaAs nutné k přípravě těchto laserů s dlouhou životností (F.Moravec) a nízkoprahové lasery GaInAsP/InP pro celou oblast vlnových délek od 1,1 μm do 1.67μm. V komunikačním pásmu 1,3 μm a 1,55 μm byly dosaženy hodnoty prahového proudu kontinuální laserové generace při pokojové teplotě 11 a 14 mA (D.Nohavica). Práce byly v roce 1989 navrženy na udělení Státní ceny.

 

V 80-tých letech pak spojené úsilí našeho ústavu a Ústavu chemie skelných a keramických materiálů ČSAV vyústilo v ucelenou metodickou a technologickou základnu pro optické vláknové komunikace v Československu.