|
'''Unipolární tranzistor''' je [[polovodič]]ový prvek, jehož označení ''unipolární'' vyjadřuje, že přenos [[náboj]]e je v tomto [[tranzistor]]u uskutečňován pouze majoritními nositeli (na rozdíl od [[bipolární tranzistor|bipolárního tranzistoru]]). Skládá se z polovodičů typu N a P.
Pro velký vstupní [[elektrický odpor|odpor]] se těmto tranzistorům také říká '''tranzistory řízené elektrickým polem''' ('''FET''', Field-Effect Transistors). Velký vstupní odpor je velkou výhodou unipolárních tranzistorů oproti bipolárním, jejichž malý vstupní odpor se nepříznivě projevuje při zesilování [[signál]]ů ze zdrojů s velkým vnitřním odporem. Vstupním obvodem unipolárního tranzistoru tak neteče [[Elektrický proud|proud]] a je, podobně jako [[elektronka]], řízen [[elektrické napětí|napětím]]. Řídící [[elektroda|elektrodou]] teče buď jen malý proud ekvivalentní proudu [[dioda|diody]] v závěrném směru nebo jí neteče prakticky žádný proud.
Tyto výhody umožňují unipolární tranzistor využívat v obvodech s vysokou hustotou integrace. Z principu funkce bipolárního tranzistoru totiž vzniká [[Jouleovo teplo]], které není schopný miniaturní [[čip]] odvést.
Nevýhodou (danou právě vysokou vstupní [[impedance|impedancí]]) je možnost snadného poškození těchto tranzistorů statickým nábojem, zvláště při manipulaci před zapojením do obvodů.
Další výhodou tohoto tranzistoru je že v I. kvadrantu je VA charakteristika silně (né ideálně) lineární, proto jej často používáme v analogovém režimu(nejčastěji jako zesilovač)minimální zkreslení.
Existují dva druhy unipolárních tranzistorů:
* '''[[JFET]]''' (unipolární tranzistor s přechodovým hradlem)
* '''[[MOSFET]]''' (unipolární tranzistor s izolovaným hradlem)
{{Pahýl - elektronika}}
[[Kategorie:Diskrétní součástky]]
[[ar:مقحل حقلي]]
[[be:Палявы транзістар]]
[[be-x-old:Палявы транзыстар]]
[[bg:Полеви транзистор]]
[[bn:ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]]
[[ca:Transistor d'efecte camp]]
[[da:Felteffekttransistor]]
[[de:Feldeffekttransistor]]
[[en:Field-effect transistor]]
[[es:Transistor de efecto campo]]
[[et:Väljatransistor]]
[[ext:FET]]
[[fa:ترانزیستور اثر میدان]]
[[fi:Kanavatransistori]]
[[fr:Transistor à effet de champ]]
[[id:Transistor efek–medan]]
[[it:Transistor a effetto di campo]]
[[ja:電界効果トランジスタ]]
[[ko:전계효과 트랜지스터]]
[[lt:Lauko tranzistorius]]
[[lv:Lauktranzistors]]
[[mk:Транзистор со ефект на поле]]
[[mn:Оронгийн транзистор]]
[[nl:Veldeffecttransistor]]
[[pl:Tranzystor polowy]]
[[pt:Transistor de efeito de campo]]
[[ru:Полевой транзистор]]
[[sl:Tranzistor na poljski pojav]]
[[stq:Fäild-Effekt-Transistore]]
[[sv:Fälteffekttransistor]]
[[ta:மின்புல விளைவுத் திரிதடையம்]]
[[tr:Alan etkili transistör]]
[[uk:Польовий транзистор]]
[[zh:场效应管]]
| 