Polovodičová paměť: Porovnání verzí

Jsou unipolární paměti, u kterých je na průsečníku adresových linek X, Y tranzistor s tenkou vrstvou, nebo tlustá vrstva oxidu hlinitého, která slouží k oddělení elektrody. Při použití tlusté izolační vrstvy vyžadujeme velké prahové spínací napětí. Na prusečíku adresových linek X a Y je bud tranzistor vytvořený tenkou vrstvou, nebo funkčně nahrazen vytvořením tlusté vrstvy oxidu hlinitého, který odděluje elektrodu. Je-li tenká vrstva a tranzistor adresován výběrovým signálem, pak tranzistor sepne a proud přes něj prochází k nulovému potenciálu.

RAM paměti s libovolným přístupem jednotlivá místa paměti se liší jen adresou, kterou lze volit náhodně, nezávisle na adresách použitých předtím, nebo potompoté.