Polovodičová paměť: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
Bez shrnutí editace |
|||
Řádek 28:
Statické bipolární paměti jsou tvořeny buňkami z bistabilních klopných obvodů.
RAM paměti s libovolným přístupem jednotlivá místa paměti se liší jen adresou, kterou lze volit náhodně, nezávisle na adresách použitých předtím, nebo potom.
=== Dynamická paměť RAM – DRAM (Dynamic Random Access Memory) ===
Dynamická paměť RAM je založena na fyzikálním principu nabíjení kondenzátoru. Takto vzniklý potenciál, který je ekvivalentní napětí, odpovídá logické 0 nebo 1. Jelikož vlivem svodů je tento potenciál vybíjen, je nutno tuto operaci v paměťové buňce obnovovat (refresh). Obnova probíhá tak, že jsou paralelně sejmuty obsahy paměťových buněk na řádku, v budiči zesíleny a opět zapsány na původní místo. Rychlost obnovy paměťových míst je několik setkrát za sekundu. Tyto paměti jsou levnější než statické. V současné době máme dva typy SIMM a SIPP. Přístupová doba SIMM 60-70ns.
| |||