Fotorezistor: Porovnání verzí

Smazaný obsah Přidaný obsah
JAnDbot (diskuse | příspěvky)
m robot Manually assisted solving of mixed interwiki; přidal: hu odebral: he; kosmetické úpravy
Řádek 1:
[[ImageSoubor:Light-dependent resistor schematic symbol.svg|right|100px|thumb|schématická značka fotorezistoru]]
'''Fotorezistor''' (dříve označován jako ''fotoodpor'') je ''pasivní'' [[elektrotechnická součástka|elektronická]] [[součástka]] bez PN přechodu, jejíž [[Elektrický odpor|elektrický odpor]] se snižuje se zvyšující se intenzitou dopadajícího světla, resp. elektrická vodivost se zvyšuje.
 
== Princip ==
[[FileSoubor:Zapojeni fotorezistoru.png|thumb|right|200px|Zapojení fotorezistoru]]
Princip fotorezistoru je založen na vnitřním [[Fotoelektrický jev|fotoelektrickém jevu]]: světlo ([[foton]]) narazí do [[elektron]]u ve [[Valenční pás|valenční sféře]] a předá mu svojí [[Energie|energii]], tím elektron získá dostatek energie k překonání [[Zakázaný pás|zakázaného pásu]] a skočí z valenčního pásu do vodivostního. Tím opustí svůj [[atom]] a pohybuje se jako volný elektron prostorem [[Krystalová mřížka|krystalové mřížky]]. Na jeho místě vznikla díra (defektní elektron). Takto vzniklé volné elektrony přispívají ke snížení [[Elektrický odpor|elektrického odporu]] (zvýšení elektrické vodivosti). Čím více [[Světlo|světla]] na fotorezistor dopadá, tím vzniká více volných elektronů a zvyšuje se tím [[elektrická vodivost]].
 
Řádek 15:
* použitím [[monokrystal]]u
* metodou tenkých vrstev
Ve starších konstrukcích se vyráběly fotorezistory ve skleněné baňce nebo ve větším plastovém pouzdře. Dnes se nejčastěji vyrábí s napařovanou vrstvou. Na [[Křemík|křemíkovou]] nebo [[Germanium|germaniovou]] destičku je nanesena vrstva [[Kov|kovu]] ve tvaru hrabiček. Je to do jisté míry přechod kov - [[Polovodič|polovodič]]. Vlivem osvětlení se mění [[Elektrická vodivost|vodivost]] mezi vodivými kovovými vložkami. Materiály často používané na výrobu fotoodporů jsou sulfid kadmia (CdS) a sulfid olova (PbS).
 
[[FileSoubor:Konstrukcni usporadani fotorezistoru.png|220px]]
 
== Vlastnosti ==
[[FileSoubor:Zavislost R na E.png|thumb|right|Závislost elektrického odporu na relativním osvětlení|250px]]
Odpor se zmenšuje v závislosti na intenzitě osvětlení přibližně [[Exponenciální funkce|exponenciálně]] (klesne většinou o několik řádů), ale do jisté míry jej lze velice dobře [[linearizace|linearizovat]]. [[Graf]]em závislosti velikosti [[Elektrický odpor|elektrického odporu]] na [[osvětlení]] je v [[Logaritmická stupnice|logaritmickém měřítku]] [[přímka]]. V závislosti na typu použitého materiálu lze fotorezistorem detekovat jak viditelné, tak i [[Ultrafialové záření|ultrafialové]] a [[Infračervené záření|infračervené]] [[světlo]]. Podle použitého zdroje [[Elektromagnetické záření|záření]] je nutné vybrat správný typ fotorezistoru. U fotorezistprů se udává [[citlivost]]. Citlivost je obecně vztah mezi [[Intenzita záření|intenzitou]] dopadajícího optického záření a výstupním [[signál]]em. Spektrální [[citlivost]] vyjadřuje závislost citlivosti materiálu fotorezistoru na [[Vlnová délka|vlnové délce]] optického záření. Fotorezisotry jsou silně teplotně závislé, při nižších velikostech osvětlení je teplotní závislost větší, teplotní závislost je také větší u vyšších [[Vlnová délka|vlnových délek]]. Jako u klasických [[rezistor]]ů způsobuje teplota [[šum]].
 
Řádek 68:
 
=== Odpor fotorezistoru ===
* <math>R_{10lx}</math> je velikost [[Elektrický odpor|odporu]] pro [[osvětlení]] 10 lx při [[Teplota|teplotě]] 25&nbsp;°C
* <math>R_{min}</math> (odpor za tmy) je minimální hodnota odporu měřená 5 sekund po přerušení osvětlení 10 lx
* <math>P_{max}</math> maximální ztrátový [[výkon]] je největší přípustné zatížení při teplotě 25&nbsp;°C
* <math>U_{max}</math> maximální provozní [[napětí]] pro 25&nbsp;°C, tuto hodnotu je možné na fotorezistor přiložit pouze za tmy
 
[[FileSoubor:Relativni zatizitelnost fotorezistoru.png|350px]]
 
=== Rychlost odezvy ===
Řádek 90:
Udává mezní [[Teplota|teploty]], při kterých pracuje fotorezistor korektně.
 
=== Výhody ===
* značná [[citlivost]]
* snadné použití a nízká cena
* možnost aplikace pro [[Stejnosměrný proud|stejnosměrné]] i [[Střídavý proud|střídavé]] obvody (pracuje nezávisle na směru [[Elektrický proud|proudproudu]]u)
 
=== Nevýhody ===
* dlouhá doba [[Odezva|odezvy]], která se zvýší, jestliže po intenzivním [[osvětlení]] rychle následuje tma
* značná teplotní závislost odporu
Řádek 103:
 
== Použití ==
Fotorezistory se používají pro indikaci a [[měření]] neelektrických veličin. Mají široké použití při měření [[Osvětlenost|intenzity světla]] (např. v soumrakových spínačích, ve [[fotoaparát]]ech), fotozávorách a [[optočlen]]ech. Uplatňují se jako součásti [[Požární hlásič|požárních hlásičů]], také v [[kalorimetr]]ech a regulační technice. Své místo mají ve vstupních obvodech [[polovodič]]ových prvků, jako proměnné [[Elektrický odpor|odporodpory]]y a zpravidla se účastní nastavení pracovního bodu.
 
== Související články ==
Řádek 112:
* [[Fotoelektrický jev]]
 
== Literatura ==
{{Citace monografie
| příjmení = Frohn
Řádek 141:
[3] Dědková J: Elektrotechnický seminář; VUT Brno<br />
[4] Musil V., Brzobohatý J., Boušek J., Prchalová I.: Elektronické součástky; VUT Brno, 1996<br />
[5] Mikulec M., Havlíček V.: Základy teorie elektrických obvodů 1; ČVUT, 1997<br />
[6] Stránský J. a kol.: Polovodičová technika I – učebnice pro elektrotechnické fakulty; SNTL; 1982<br />
[7] Maťátko J.: Elektronika; Idea Servis, 1997<br />
Řádek 161:
[[fr:Photorésistance]]
[[gl:LDR]]
[[hu:Fotocella]]
[[he:תא פוטואלקטרי]]
[[id:Resistor foto]]
[[it:Fotoresistenza]]