Verze z 28. 5. 2009, 00:55 editovat Obersachsebot (diskuse \| příspěvky) 7 933 editací m robot přidal: ar:تنضيد ← Přejít na předchozí porovnání		Verze z 15. 1. 2010, 10:13 editovat zrušit editaci Xqbot (diskuse \| příspěvky) Roboti 174 957 editací m robot přidal: it:Epitassia; kosmetické úpravy Přejít na další porovnání →
Řádek 48: Při metodě MBE se zdrojový materiál pevného skupenství ohřívá na takovou teplotu, že se utváří proud částic. Tyto částice letí velmi vysokým vakuem (10<sup>-8</sup> [[Pascal\|Pa]]) k substrátu, kde kondenzují. Touto metodou lze připravit velmi tenké vrstvy počínaje jednou atomární vrstvou == Související články == * [[Chemická depozice z plynné fáze]] Řádek 54: základem anglický článek , internetové zdroje viz níže == Externí odkazy == * [http://www.fzu.cz/texty/brana/movpe/movpe.php]: Laboratoř polovodičových struktur MOVPE, Fyzikální ústav AV ČR * [http://www.otevrena-veda.cz/ov/users/Image/default/C1Kurzy/NH2006pdf/7.pdf]: Optoelektronika - polovodičové zdroje záření * [http://www.fzu.cz/oddeleni/povrchy/mbe/soubory/mbe/mbe_metoda.htm]: Epitaxe z molekulárních svazků [[Kategorie: Materiálové inženýrství]] [[Kategorie: Polovodiče]] [[ar:تنضيد]] Řádek 68: [[es:Epitaxia]] [[fr:Épitaxie]] [[it:Epitassia]] [[ja:エピタキシャル成長]] [[no:Epitaksi]]

Epitaxe: Porovnání verzí