CMOS: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m →Související články: +navbox |
m {{Commonscat}}; kosmetické úpravy |
||
Řádek 9:
== Historie ==
CMOS obvody byly vynalezeny roku [[1963]] a patentovány roku [[1967]] (patent 3,356,858) [[Frank Wanlass|Frankem Wanlassem]] ze společnosti [[Fairchild Semiconductor]]. První integrované obvody byly vyrobeny roku [[1968]] v [[RCA]] pod vedením [[Albert Medwin|Alberta Medwina]].
Řádek 15 ⟶ 14:
== Proces výroby ==
[[Soubor:CMOS fabrication process.svg|náhled|150px|Zjednodušený proces výroby CMOS invertoru na substrátu tvořeném polovodičem typu P. Elektrody G, S a D u reálných obvodů nejsou ve stejné rovině diagram není v měřítku.]]
Proces výroby CMOS obvodů je znázorněn na obrázku vpravo:
Řádek 33 ⟶ 31:
== Generace podle velikosti ==
Jednotlivé generace technologie CMOS se označují jedním číslem představujícím šířku hradla tranzistorů na čipu. Minimální velikost hradla je nižší, naopak [[vlnová délka]] [[světlo|světla]] použitého při procesu může být díky různým efektům vyšší.
Řádek 73 ⟶ 70:
=== Reference ===
{{překlad|en|CMOS|132910144}}
Řádek 84 ⟶ 80:
* [[BSI CMOS]]
* [[Foveon X3]]
=== Externí odkazy ===
* {{Commonscat}}
{{Logické obvody}}
|