Arsenid gallitý: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m →Literatura: typografické úpravy |
m Robot: oprava ISBN; kosmetické úpravy |
||
Řádek 13:
| rozpustnost = < 0,1 g/100 cm<sup>3</sup>
}}
'''Arsenid gallitý''' (také '''arsenid gallia'''), chemický vzorec '''GaAs''', je sloučenina [[Gallium|gallia]] a [[arsen]]u. Je to významný [[polovodič]], používaný při výrobě [[integrovaný obvod|integrovaných obvodů]] pracujících v oboru [[mikrovlny|mikrovln]], [[infračervené záření|infračervených]] a [[polovodičový laser|polovodičových laserů]] a [[fotovoltaický článek|fotovoltaických článků]].
== Příprava a chemické vlastnosti ==
Arsenid gallitý lze připravit [[Chemická syntéza|syntézou]] z [[Chemický prvek|prvků]], čehož se v průmyslu často využívá.<ref name="Moss">S. J. Moss, A. Ledwith (1987) ''The Chemistry of the Semiconductor Industry'', Springer, {{ISBN
# pěstování [[krystal]]u v horizontální peci ([[Bridgman-Stockbargerova metoda]]), kdy páry gallia a arsenu reagují a deponují se na povrchu zárodečného krystalu v chladnější části pece
# LEC metoda (Czochralski)
Řádek 26 ⟶ 25:
2 AsH<sub>3</sub> + 2 Ga → 2 GaAs + 3 H<sub>2</sub>.
Alternativní metody výroby GaAs jsou<ref name = "Moss"/><ref>Lesley Smart, Elaine A. Moore, (2005), ''Solid State Chemistry: An Introduction'' ,CRC, {{ISBN
# reakce plynného gallia a [[Chlorid arsenitý|chloridu arsenitého]]:
: 2 Ga + 2 AsCl<sub>3</sub> → 2 GaAs + 3 Cl<sub>2</sub>
Řádek 40 ⟶ 39:
=== Literatura ===
* N. N. Greenwood – A. Earnshaw, ''Chemie prvků'' 1. díl, 1. vydání 1993 {{ISBN
=== Externí odkazy ===
|