Verze z 23. 12. 2006, 04:45 editovat Dinybot (diskuse \| příspěvky) 42 548 editací m robot: stylistické, typografické a kódové korekce a náhrady přesměrování podle specifikace ← Přejít na předchozí porovnání		Verze z 17. 9. 2007, 17:14 editovat zrušit editaci Hranice smrti (diskuse \| příspěvky) 143 editací m typos Přejít na další porovnání →
Řádek 4: Monokrystal je makroskopický [[krystal]] se zanedbatelnými [[porucha krystalové struktury\|poruchami krystalové struktury]]. V [[polovodič\|polovodičové]] technice mluvíme o [[tenkovrstvý monokrystal\|tenkovrstvých monokrystalech]] vyráběných [[epitaxe\|epitaxí]], nebo o [[objemový monokrystal\|objemových monokrystalech]], které se zhotovují ~~nejčastějí~~nejčastěji [[tažení z kapalné fáze\|tažením z kapalné fáze]]. Základní podmínkou vzniku monokrystalu je řízení ~~přemeny~~přeměny taveniny takovým způsobem, aby se celá [[krystalizace]] uskutečnila z jednoho [[krystalizační zárodek\|zárodku]]. Toho dosáhneme přiložením rovinného povrchu zárodku o nepatrně nižší teplotě než je rovnovážná teplota krystalizace, což má za následek snížení teploty ~~kapalé~~kapalné fáze v okolí styčné plochy a tím splnění termodynamické podmínky růstu krystalu. Rychlost růstu sleduje rychlost posuvu [[mezifázové rozhraní\|mezifázového rozhraní]] a ta je zase dána velikostí [[podchlazení]]. Pro splnění podmínky vzniku kvalitního monokrystalu kterou je [[planární růst]] je nutné aby nebylo [[podchlazení]] velké, z toho pak plyne, že běžné rychlosti růstu kvalitního monokrystalu jsou řádově milimetry za hodinu. Pro zajištění toku tepla z kapalné fáze do krystalu musí být trvale zajištěn teplotní [[gradient]] na [[mezifázové rozhraní\|mezifázovém rozhraní]], proto je nutné teplo řízeným způsobem odvádět. Dále je nutné, aby se vznikající krystal posouval směrem od taveniny, nebo aby se posouval teplotní gradient v opačném směru. Krystalová orientace matečného [[krystalizační zárodek\|zárodku]] přímo určuje orientaci rostoucího [[krystal]]u.

Monokrystal: Porovnání verzí