Efektivní hmotnost: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
Verze 16086847 uživatele Milan Keršláger (diskuse) zrušena, zpět na korektní název značka: vrácení zpět |
m →Definice: typo indexu značka: editace z Vizuálního editoru |
||
Řádek 11:
[[Soubor:Bulkbandstructure.gif|thumb|right|400px|Pásové struktury Si, Ge, GaAs a InAs generované modelem těsné vazby. Všimněte si, že Si a Ge jsou nepřímé polovodiče s minimy v X a L, zatím co GaAs a InAs jsou přímé polovodiče (minima a maxima ve stejném bodě).]]
Efektivní hmotnost je definována podobně jako Newtonův druhý zákon F = ma. S využitím [[kvantová mechanika|kvantové mechaniky]] lze ukázat, že pro elektron ve vnějším elektrickém poli E, se zrychlením
:<math> a_{\ell} = {{1} \over {\hbar^2}} \sum_{ m} \cdot {{\partial^2 \varepsilon (\boldsymbol{k})} \over {\partial k_{\ell} \partial k_ m}} qE_m </math>
| |||