William Bradford Shockley: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m +Kategorie:Narození v Londýně; +Kategorie:Úmrtí v Kalifornii za použití HotCat |
Robot: Opravuji 2 zdrojů and označuji 0 zdrojů jako nefunkční #IABot (v2.0beta8) (Martin Urbanec) |
||
Řádek 20:
Skupina začala studovat atomové struktury, které se na povrchu a uvnitř látek liší. Hledané výsledky se začaly dostavovat v okamžiku, když začali obklopovat body dotyku mezi [[polovodič]]em a přívodními vodiči [[elektrolyt]]em. Moore postavil okruh, který jim dovolil snadno měnit frekvenci vstupního signálu a navrhl, aby používali [[glykol boritan]], viskózní chemikálii, která se nevypařovala. Nakonec získali důkaz schopnosti zesílení signálu, když Pearson, podle návrhu Shockleyho,<ref>Crystal Fire p. 132</ref> uvedl napětí na kapičku glykol boritanu umístěnou přes [[Přechod P-N|P-N přechod]]. V prosinci 1947 Bardeen a Brattain - pracovali bez Shockleyho - uspěli ve stvoření hrotového tranzistoru, který zesiloval signál.
Další měsíc začali patentoví zástupci Bellových laboratoří pracovat na patentových přihláškách. Brzo objevili, že Shockleyho vliv elektrického pole na polovodič byl předpovídán a patentován v roce 1930 [[Julius Edgar Lilienfeld|Juliem Lilienfeldem]], který si svůj MESFET patentoval v Kanadě již v 22. října 1925.<ref>US patent 1745175 "Method and apparatus for controlling electric current" first filing in Canada on 22.10.1925</ref><ref>{{Citace elektronického periodika |titul={title} |url=http://chem.ch.huji.ac.il/~eugeniik/history/lilienfeld.htm |datum přístupu=22-12-2007 |url archivu=https://web.archive.org/web/20061002065548/http://chem.ch.huji.ac.il/~eugeniik/history/lilienfeld.htm |datum archivace=02-10-2006 |nedostupné=ano }}</ref> Přesto byly podány celkem čtyři žádosti o patent. Na žádné z těchto přihlášek se však nevyskytovalo Shockleyovo jméno. To Shockleyho rozzlobilo, protože práce byla založena na jeho nápadu s účinkem elektrického pole.
Ve stejnou dobu tiše pokračoval ve vlastní práci na stavbě různých druhů tranzistoru založených na spojení místo bodového dotyku. Předpokládal, že tento typ tranzistoru bude více komerčně úspěšný. Shockley pracoval na teorii elektronů a děr v polovodičích, která byla nakonec vydána jako 558 stránková monografie v roce 1950. V té Shockley vypracoval rozhodující myšlenky týkající se pohybu elektronů a děr a [[diferenciální rovnici]], kterou se řídí tok elektronů v pevných krystalech.
Řádek 40:
== Ocenění ==
V roce 2002 skupina asi 30 kolegů, kteří se s ním setkali od roku 1956, zavzpomínali na Shockleyho a jeho ústřední roli v odstartování revoluci v informačních technologiích a jejich organizátor prohlásil, že "Shockley je ten, kdo přinesl křemík do [[Silicon Valley]]."<ref>{{Citace elektronického periodika |titul={title} |url=http://www.stanford.edu/dept/news/pr/02/shockley1023.html |datum přístupu=22-12-2007 |url archivu=https://web.archive.org/web/20050404102748/http://www.stanford.edu/dept/news/pr/02/shockley1023.html |datum archivace=04-04-2005 |nedostupné=ano }}</ref>
Shockley byl zařazen časopisem Time mezi 100 nejvíce vlivných lidí 20. století.
Obdržel čestné doktoráty na [[University of Pennsylvania]], [[Rutgers University]] v New Jersey a [[Gustavus Adolphus Colleges]] v Minnesotě.
| |||