Počítačová paměť: Porovnání verzí

Smazaný obsah Přidaný obsah
m Editace uživatele 46.23.50.3 (diskuse) vráceny do předchozího stavu, jehož autorem je UrbanecmBot
JAnDbot (diskuse | příspěvky)
m Robot: přidáno {{Autoritní data}}; kosmetické úpravy
Řádek 1:
Pojmem '''paměť''' se ve [[Výpočetní technika|výpočetní technice]] označují fyzická zařízení, používaná k ukládání programů (posloupností instrukcí) nebo dat (např. informací o stavu programu) pro okamžitou nebo trvalou potřebu v [[Počítač|počítačipočítač]]i nebo jiném [[Digitální|digitálnímdigitální]]m [[Elektronika|elektronickém]] zařízení. Termín vnitřní paměť nebo také primární paměť se používá pro informace uložené ve fyzických zařízeních, fungujících ve vysokých rychlostech (tj. [[RAM]]). Naproti tomu vnější paměť nebo také sekundární paměť označuje taková fyzická zařízení pro [[Elektronická paměť|ukládání programů a dat]], která mají pomalou přístupovou dobu, ale nabízejí vyšší paměťovou kapacitu. Vnitřní paměť uložená ve vnější paměti se nazývá "[[virtuální paměť]]". Starší synonymum pro paměť je '''úložiště'''.<ref>[[Alan Turing|A.M. Turing]] a R.A. Brooker (1952). [http://www.alanturing.net/turing_archive/archive/m/m01/M01-005.html ''Programmer's Handbook for Manchester Electronic Computer Mark II'']. University of Manchester.</ref>
 
Termínem "paměť" ve smyslu vnitřní paměti se často označuje adresovatelná [[polovodičová paměť]] (tj. [[Integrovaný obvod|integrované obvody]] složené z [[Křemík|křemíkovýchkřemík]]ových [[Tranzistor|tranzistorůtranzistor]]ů), která má mimo vnitřních pamětí i další využití v počítačích a jiných digitálních elektronických zařízeních. Polovodičová paměť se dělí na dva hlavní typy: energeticky závislou a energeticky nezávislou. Příklady energeticky nezávislé paměti jsou [[flash paměť]] (někdy využívaná jako vnější, někdy jako vnitřní počítačová paměť) a paměť [[ROM]]/[[PROM]]/[[EPROM]]/[[EEPROM]] (používaná pro [[firmware]], například zaváděcí programy). Příklady energeticky závislé paměti jsou vnitřní paměť (typicky dynamická RAM neboli [[DRAM]]) a rychlá vyrovnávací paměť procesoru (typicky statická RAM neboli [[SRAM]], která je sice rychlá, ale spotřebuje více energie a nabízí nižší paměťovou kapacitu na jednotku plochy než DRAM).
 
Většina polovodičových pamětí je uspořádána do paměťových buněk, tvořených [[Bistabilní klopný obvod|bistabilními klopnými obvody]], z nichž každý uchovává jeden [[bit]] (hodnotu 0 nebo 1). Flash paměti mohou být uspořádány do paměťových buněk s jedním bitem na buňku, nebo s několika bity v jedné buňce (tzv. víceúrovňová buňka). Paměťové buňky se seskupují do [[Slovo (paměťová jednotka)|slov]] s pevnou délkou, například 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 nebo 128 bitů. Ke každému slovu se lze dostat pomocí binární adresy o délce ''N'' bitů, takže lze v paměti uložit celkem 2 na ''N''-tou slov. To znamená, že [[Registr procesoru|registry]] [[Mikroprocesor|procesoru]] se běžně nepovažují za paměť, protože dokáží uložit pouze jedno slovo a nemají žádný adresovací mechanismus.
Řádek 14:
V roce 1946 se objevily dvě alternativní řešení zpožďovacích linek, [[Williamsova trubice]] a [[Selectron]], které obě využívaly pro ukládání dat elektronový paprsek ve skleněné trubici. Williamsovu trubici vynalezl Fred Williams, využívala [[Obrazovka|katodovou obrazovkovou trubici]], a byla první [[RAM|pamětí s přímým přístupem]]. Měla větší kapacitu než Selectron (ten byl omezen na 256 bitů, zatímco Williamsova trubice dokázala uložit několik tisíc bitů), a byla také levnější. Williamsova trubice se ovšem ukázala být nepříjemně citlivá na rušení z okolí.
 
Na konci 40. let 20. století začaly snahy o vývoj energeticky nezávislých pamětí. [[Jay Forrester]], [[Jan A. Rajchman]] a [[An Wang]] vyvinuli [[feritovou paměť]], která umožňovala obnovení obsahu paměti po ztrátě napájení. Feritové paměti se staly hlavním typem používané paměti až do vynálezu paměti na bázi [[Tranzistor|tranzistorůtranzistor]]ů koncem 60. let.
 
Vývoj technologie a masová výroba umožnily nástup takzvaných "počítačů s velmi velkou pamětí".<ref>
Řádek 35:
 
== Energeticky závislá paměť ==
Energeticky závislá nebo také volatilní paměť je počítačová paměť, která k udržení informace vyžaduje neustálé napájení. Většina moderních [[Polovodič|polovodičovýchpolovodič]]ových energeticky závislých pamětí je buď statická RAM (viz [[SRAM]]), nebo dynamická RAM (viz [[DRAM]]). SRAM udrží svůj obsah, dokud je připojené napájení, je jednoduchá na obsluhu, ale používá šest tranzistorů na jeden bit. Dynamická RAM je náročnější na obsluhu a řízení a potřebuje pravidelné obnovovací cykly, aby neztratila svůj obsah. DRAM ovšem používá pouze jeden tranzistor a jeden kondenzátor na jeden bit, což umožňuje dosáhnout vyšších hustot, a díky vyššímu počtu bitů na paměťovém čipu také mnohem nižší cenu za bit. SRAM se nevyplatí používat pro systémovou paměť osobních počítačů, kde dominuje DRAM, ale využívá se ve vyrovnávacích pamětech. SRAM se běžně používá v malých [[Vestavěný systém|vestavěných systémech]], které obvykle potřebují jen pár desítek kilobajtů paměti nebo méně. Mezi nastupující technologie energeticky závislých pamětí, které by mohly SRAM a DRAM nahradit nebo s nimi soupeřit, patří [[Z-RAM]], [[TTRAM]], [[A-RAM]] a [[ETA RAM]].
 
== Energeticky nezávislá paměť ==
Řádek 43:
{{Podrobně|Správa paměti}}
 
Řádná správa paměti je nezbytná pro správnou funkci počítačového systému. Moderní [[Operačníoperační systém|operační systémy]]y používají pro řádnou správu paměti složité systémy. Pokud by je nepoužívaly, mohlo by docházet k chybám, sníženému výkonu, a v nejhorším případě i k napadení viry a škodlivým softwarem.
 
Při téměř jakékoli činnosti musí počítačový programátor uvažovat nad správou paměti. I při pouhém uložení čísla do paměti musí programátor určit, jak ho má paměť uložit.
Řádek 85:
== Reference ==
<references />
{{Autoritní data}}
 
[[Kategorie:Počítačová paměť| ]]