Fotorezistor: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m (GR) File renamed: File:LDR.jpg → File:LDR07 Light-dependent CdS photoresistor.jpg Replace meaningless TLA with description of image. |
m Robot: přidáno {{Autoritní data}}; kosmetické úpravy |
||
Řádek 1:
[[Soubor:Light-dependent resistor schematic symbol.svg|
'''Fotorezistor''' (dříve označován jako ''fotoodpor'') je ''pasivní'' [[elektrotechnická součástka|elektronická]] [[součástka]] bez PN přechodu, jejíž [[elektrický odpor]] se snižuje se zvyšující se intenzitou dopadajícího světla, resp. elektrická vodivost se zvyšuje.
== Princip ==
[[Soubor:Zapojeni fotorezistoru.png|
Princip fotorezistoru je založen na vnitřním [[Fotoelektrický jev|fotoelektrickém jevu]]: světlo ([[foton]]) narazí do [[elektron]]u ve [[Valenční pás|valenční sféře]] a předá mu svoji [[Energie|energii]], tím elektron získá dostatek energie k překonání [[Zakázaný pás|zakázaného pásu]] a skočí z valenčního pásu do vodivostního. Tím opustí svůj [[atom]] a pohybuje se jako volný elektron prostorem [[Krystalová mřížka|krystalové mřížky]]. Na jeho místě vznikla díra (defektní elektron). Takto vzniklé volné elektrony přispívají ke snížení [[Elektrický odpor|elektrického odporu]] (zvýšení elektrické vodivosti). Čím více [[Světlo|světla]] na fotorezistor dopadá, tím vzniká více volných elektronů a zvyšuje se tím [[elektrická vodivost]]. Fotorezistor využívá svoji vlastní vodivost.
Řádek 10:
== Konstrukce fotorezistoru ==
[[Soubor:LDR07 Light-dependent CdS photoresistor.jpg|
Fotovodivé vrstvy je možné vytvářet třemi různými způsoby:
* metodou tlustých vrstev a sintrací
* použitím [[monokrystal]]u
* metodou tenkých vrstev
Ve starších konstrukcích se vyráběly fotorezistory ve skleněné baňce nebo ve větším plastovém pouzdře. Dnes se nejčastěji vyrábí s napařovanou vrstvou. Na [[
[[Soubor:Konstrukcni usporadani fotorezistoru.png|220px]]
== Vlastnosti ==
[[Soubor:Zavislost R na E.png|
Odpor se zmenšuje v závislosti na intenzitě osvětlení přibližně [[Exponenciální funkce|exponenciálně]] (klesne většinou o několik řádů), ale do jisté míry jej lze velice dobře [[linearizace|linearizovat]]. [[Graf]]em závislosti velikosti [[Elektrický odpor|elektrického odporu]] na [[osvětlení]] je v [[Logaritmická stupnice|logaritmickém měřítku]] [[přímka]]. V závislosti na typu použitého materiálu lze fotorezistorem detekovat jak viditelné, tak i [[Ultrafialové záření|ultrafialové]] a [[Infračervené záření|infračervené]] [[světlo]]. Podle použitého zdroje [[Elektromagnetické záření|záření]] je nutné vybrat správný typ fotorezistoru. U fotorezistorů se udává [[citlivost]]. Citlivost je obecně vztah mezi [[Intenzita záření|intenzitou]] dopadajícího optického záření a výstupním [[signál]]em. Spektrální [[citlivost]] vyjadřuje závislost citlivosti materiálu fotorezistoru na [[Vlnová délka|vlnové délce]] optického záření. Fotorezisotry jsou silně teplotně závislé, při nižších velikostech osvětlení je teplotní závislost větší, teplotní závislost je také větší u vyšších [[Vlnová délka|vlnových délek]]. Jako u klasických [[rezistor]]ů způsobuje teplota [[šum]].
Řádek 148:
[10] Vobecký J., Záhlava V.: Elektronika – součástky a obvody, principy a příklady; Grada Publishing; 2001<br />
[11] Doleček J.: Moderní učebnice elektroniky 3.; nakladatelství [[BEN - technická literatura]], 2005<br />
{{Autoritní data}}
[[Kategorie:Optoelektronika]]
|