Verze z 25. 3. 2017, 19:41 editovat Nadvšenec (diskuse \| příspěvky) 32 662 editací m →‎Výrobci: odkaz ← Přejít na předchozí porovnání		Verze z 28. 3. 2017, 08:47 editovat zrušit editaci Shadowowl (diskuse \| příspěvky) 642 editací m WPCleaner v1.41b - Fixed using WP:WCW (Hierarchie nadpisů - Opravy pravopisu a typografie) Přejít na další porovnání →
Řádek 4: == Parametry == ==== HBM 1 ==== * Rychlost až 128[[GB/s]] na jednu vrstvu, však s omezením kapacity 4GB na jeden čip ze čtyř vrstev čili s celkovou rychlostí 4 x 128 = 512 GB/s * Velmi nízká spotřeba * Velmi efektivní oproti [[GDDR5]], což umožňuje jednotlivé čipy skládat na sebe * Čip HBM o kapacitě 1[[Bajt\|GB]] může být osazen na plochu neuvěřitelných 35 [[Metr čtvereční\|~~mm2~~mm²]], což je ~~19x~~19× méně než potřebuje čip GDDR5 o stejné kapacitě (672 [[Metr čtvereční\|~~mm2~~mm²]]) * Čip je tenký pouze 100 [[Mikron\|mikronů]] (jako papír), takže i když se tyto čipy skládají na sebe po čtyřech rozměry jsou pořád malé ==== HBM 2 ==== * Revoluce však přichází s až druhou generací těchto pamětí, která je 2x2× rychlejší než první generace a dosahuje prostupnosti až 256 [[Bit za sekundu\|GB/s]] s jedním čipem * Čipy nyní mohou mít kapacitu až 8[[Gigabajt\|GB]] (osm 1[[Gigabajt\|GB]] vrstev) pro high-end je již v plánu 16[[Gigabajt\|GB]] varianty (dva čipy po osm vrstvách nebo jiné kombinace) * Budoucnost předpokládá rychlosti v řádech terabajtů za sekundu (limit pro kapacitu je stanoven prozatím na 48[[Gigabajt\|GB]] s maximální teoretickou rychlostí 12[[Bajt za sekundu\|TB/s)]]

High Bandwidth Memory: Porovnání verzí