Wikipedie

CMOS: Porovnání verzí

Interaktivně procházet historii
← Přejít na předchozí porovnáníPřejít na další porovnání →
Smazaný obsah Přidaný obsah
VizuálníWikitext
→‎Generace podle velikosti: nešlo my vypnout tučně... chrome
Doplnění informací do části Proces výroby, menší úpravy a doplnění
Řádek 8:
Mezi nejdůležitější vlastnosti CMOS patří vysoká odolnost proti [[šum]]u a nízká spotřeba ve statickém stavu. Více energie se spotřebovává pouze na přepínání mezi zapnutým a vypnutým stavem [[tranzistor]]u, proto CMOS nespotřebovává tolik energie jako například [[nMOS]] nebo [[TTL (logika)|TTL]]. CMOS také umožňuje vyšší hustotu prvků na čipu.
 
Trojice „metal-oxid-semiconductor“ odkazuje na fyzickou strukturu prvních (a dnes překvapivě také posledních) tranzistorů: [[Kovy|kov]]ová [[řídicí elektroda]] na izolantu z [[Oxidy|oxidu]] na [[polovodič|polovodivém materiálu]]. Místo kovu se dlouho -– až do [[65nm]] technologie -– používal jiný materiál, [[polysilikonpolykrystal]]ický křemík, ale přesto se termíny MOS a CMOS používaly jako odkaz na původní technologii. V dnešní době se kovové elektrody vrací s [[high-k]] [[dielektrikum|dielektriky]] ohlášenými firmami [[IBM]] a [[Intel]] pro nastupující [[45nm]] technologii.
 
== Historie ==
Řádek 14:
CMOS obvody byly vynalezeny roku [[1967]] [[Frank Wanlass|Frankem Wanlassem]] ze společnosti [[Fairchild Semiconductor]]. První integrované obvody byly vyrobeny roku [[1968]] v [[RCA]] pod vedením [[Albert Medwin|Alberta Medwina]].
 
Původně byl pro řídicí elektrodu používán [[hliník]], později byl nahrazen [[polysilikonpolykrystal]]emickým křemíkem, který je odolnější proti vysokým teplotám.
 
== Proces výroby ==
Řádek 21:
Proces výroby CMOS obvodů je znázorněn na obrázku vpravo:
 
# Pokrytí desky vyříznuté z [[monokrystal]]u křemíku silnou vrstvou [[Oxid křemičitý|oxidu křemičitého]]
# Pokrytí desky oxidem křemičitým
# Vyleptání oxidu pro vytvoření P-MOSFET
# Vytvoření N-studny (vany)
# Vyleptání oxidu pro vytvoření N-MOSFET
# Pokrytí desky tenkou vrstvou [[Oxid křemičitý|oxidu křemičitého]] pro vytvoření izolace pod řídicími elektrodami (G – gate)
# Pokrytí místa pro řídicí elektrody oxidem
# Uložení polykrystalickéhosilně [[Dotace|dotovaného]] [[polykrystal]]ického křemíku tvořícího elektrody G
# Vyleptání oxidu a polykrystalického křemíku
# Vytvoření oblastí pro elektrody S a D difúzním [[dotace|dotováním]] základního materiálu
# Implantace elektrod S a D
# Pokrytí [[Nitrid křemičitý|nitridem křemičitým]]
# Vyleptání nitridu
# Pokrytí kovem pro vytvoření elektrod a jejich propojení
# Vyleptání kovu
 
Řádek 53:
: Používalo se například na většinu [[Intel Pentium III]].
; 130 nm (0,13 µm)
: Rok 2002; použito pro [[Intel Pentium IV]] (55 miliónů tranzistorů, 1,6 GHz, min. 1,5 V)
; 90 nm
: Rok 2003 (min. 1,2 V)
; 65 nm
: Min. 0,9 V; V dnešní době ([[2007]]) nejčastěji používaná technologie. Používá se světlo vlnových délek 193 nm a 248 nm. Šířka elektrody je pouhých 1,2 nm, což je jen několik atomů -– dochází tedy k [[Tunelový jev|tunelovému jevu]].
: Používá se například na [[Intel Pentium IV]] nebo [[AMD Athlon 64]].
; 45 nm
: Rok 2011; min. 0,6 V; 3 GHz
; 32 nm
: Používá se například v Intel Core 2. generace [[Sandy Bridge]].
Řádek 74 ⟶ 77:
 
=== Literatura ===
* Jedlička Petr: Přehled obvodů řady CMOS 4000 -– 1. díl -– řada 4000 až 4099, [[BEN - technická literatura]], 1994-2005, ISBN 80-7300-167-5
* Jedlička Petr: Přehled obvodů řady CMOS 4000 -– 2. díl -– řada 41xx, 43xx, 45xx, 40xxx, [[BEN - technická literatura]], 1994-2005, ISBN 80-7300-168-3
 
=== Související články ===
Citováno z „https://cs.wikipedia.org/wiki/CMOS“