Bipolární tranzistor: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
značka: editace z Vizuálního editoru |
m Doplnění odkazů, oprava pomlček |
||
Řádek 16:
== Podmínky pro správnou funkci tranzistoru ==
* Tenká vrstva báze – Podstata [[Tranzistorový jev|tranzistorového jevu]].
* Emitor dotovaný více než báze – Způsobuje převahu volných nosičů náboje z emitoru. Při otevření přechodu
* Báze dotovaná více než kolektor – Čím větší je rozdíl dotací, tím větší napětí může tranzistor spínat, ale má také větší sériový odpor.
Řádek 23:
== Základní zapojení ==
[[Soubor:Common emitter amplifier.svg|thumb|right|Zapojení [[Tranzistorový zesilovač|tranzistorového zesilovače]] se společným emitorem.]]
V elektronických obvodech může být tranzistor zapojen čtyřmi základními způsoby. Podle elektrody, která je společná pro vstupní i výstupní signál se rozlišuje zapojení se
* '''společným emitorem (SE)'''
* '''společnou bází (SB)'''
* '''společným kolektorem (SC)''' (= ''emitorový sledovač'')
* '''regulační stupeň (RS)'''
Řádek 33:
== Matematický popis tranzistoru ==
K výpočtu [[Zesilovací činitel|zesilovacího činitele]] (jako například '''h<sub>21E</sub>''') se používá tzv. hybridních rovnic.
<math>u_1 = h_{11} \cdot i_1 + h_{12} \cdot u_2</math>
Řádek 58:
<math>h_{22}</math> = diferenciální výstupní vodivost při vstupu naprázdno
Můžeme také počítat s [[
:<math>i_1 = y_{11} \cdot u_1 + y_{12} \cdot u_2</math>
|