Hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů: Porovnání verzí

'''Hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů''', {{Vjazyce|en}} {{Cizojazyčně|en|'''Secondary ion mass spectrometry'''}}, zkráceně '''SIMS''', je technika sloužící k analýze složení povrchů pevných látek a tenkých vrstev pomocí vyprašování povrchu bombardujícími ionty a shromažďováním (analyzováním) vyražených sekundárních iontů. Sekundární ionty emitované z povrchu materiálu pomocí "vyprašovacího" procesu se používají k analýze chemického složení materiálu. Tyto částice však představují jen malý zlomek částic emitovaných ze vzorku. Sekundární ionty se měří hmotnostním spektrometrem určující prvkové, izotopové, nebo molekulární složení povrchu. SIMS je jedna z nejcitlivějších analýz povrchů, která je schopna detekovat prvky, i když jsou přítomny řádově jen v nanometrových oblastech.

ZZ

== Schéma přístroje a popis funkce ==

 

 

Klasické SIMS zařízení se skládá z 1) iontového děla vytvářející primární paprsek iontů 2) iontové "sloupcové" dělo, zrychlující a směřující paprsek iontů na vzorek 3) komora o vysokém vakuu obsahující vzorek a sekundární čočky pro extrakci iontů 4) hmotnostní analyzátor separující jednotlivé ionty podle jejich poměru hmotnosti k náboji 5) ionty detekující jednotka.

* Této metody se využívá pro zkoumání sloužení látek a jejich příměsí. Hojně se tedy využívá ve [[Spektrometrie|spektrometrii]].

* Používá se také pro zjišťování tloušťky vrstev molekul nebo prvků. Zkoumají se například vrstvy oxidu křemíku na syrovém křemíku, touto metodou lze zjistit šířku této vrstvy. Povrch vzorku se odprašuje a v detektoru zjišťujeme, jestli stále detekujeme ionty kyslíku. Až se přestanou tyto ionty detekovat, tak je jasné, že byla odprášena celá vrstvu oxidu křemíku. Tento čas je pak přímo úměrný tloušťce této vrstvy.

 

[[Kategorie:Přístroje]]