Arsenid gallitý: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m Změna způsobu zápisu obrázků v chemickém infoboxu dle ŽOPP z 10.7.2015 |
m Úprava parametrů infoboxu; kosmetické úpravy |
||
Řádek 1:
{{Infobox
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
}}
Řádek 18:
== Příprava a chemické vlastnosti ==
Arsenid gallitý lze připravit [[Syntéza|syntézou]] z [[Chemický prvek|prvků]], čehož se v průmyslu často využívá.<ref name="Moss">S. J. Moss, A. Ledwith
# pěstování [[krystal]]u v horizontální peci ([[Bridgman-Stockbargerova metoda]]), kdy páry gallia a arsenu reagují a deponují se na povrchu zárodečného krystalu v chladnější části pece
# LEC metoda (Czochralski)
Teoreticky je možné připravit arsenid gallitý také reakcí [[arsan]]u a gallia:
Řádek 27:
Alternativní metody výroby GaAs jsou<ref name = "Moss"/><ref>Lesley Smart, Elaine A. Moore, (2005), ''Solid State Chemistry: An Introduction'' ,CRC, ISBN 0-7487-7516-1</ref>:
# reakce plynného gallia a [[Chlorid arsenitý|chloridu arsenitého]]:
: 2 Ga + 2 AsCl<sub>3</sub> → 2 GaAs + 3 Cl<sub>2</sub>
# [[MOCVD]] reakce [[trimethylgallium|trimethylgallia]] a [[arsan]]u
: Ga(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub> + AsH<sub>3</sub> → GaAs + 3 CH<sub>4</sub>
| |||