Epitaxe: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m →Metody: ++{redirect| |
m odkaz značka: editace z Vizuálního editoru |
||
Řádek 1:
'''Epitaxe''' je proces, při němž na povrchu podložky (substrátu) roste tenká krystalická vrstva. Krystalická mřížka nově vznikající vrstvy navazuje bezprostředně na krystalickou mřížku substrátu. Termín epitaxe zavedl v roce 1936 L. Royer a pochází z řeckých ''epi'' "nad" a ''taxis'' "uspořádaně".
Epitaxní vrstvy se mohou růst z plynných, tekutých nebo pevných prekurzorů (látky, ze kterých chceme růst vrstvu). Jestliže je vrstva ukládána na substrát stejného složení, mluvíme o homoepitaxi, v opačném případě o heteroepitaxi.
Řádek 47 ⟶ 46:
=== Epitaxe z molekulárních svazků ===
{{podrobně|Epitaxe z molekulárních svazků}}
Při metodě MBE se zdrojový materiál pevného skupenství ohřívá na takovou teplotu, že se utváří proud částic. Tyto částice letí velmi vysokým vakuem (10<sup>-8</sup> [[Pascal (jednotka)|Pa]]) k substrátu, kde kondenzují. Touto metodou lze připravit velmi tenké vrstvy počínaje jednou atomární vrstvou.
== Odkazy ==
| |||