Pěstování monokrystalů: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m ++{{pahýl část}} |
→Czochralského metoda: úprava kapitolky značka: {{hlavní článek}} v článku |
||
Řádek 18:
=== [[Czochralského metoda]] ===
{{Hlavní článek|Czochralského metoda}}
Czochralského metoda růstu [[krystal]]u je metoda užívaná pro pěstování syntetických [[monokrystal]]ů (nejčastěji z [[křemík]]u (Si), [[germanium|germania]] (Ge) a [[gallium]] [[arsen]]idu GaAs). Při této metodě je pevný krystal pomalu (5–150 mm za hodinu, s rotací 10–100 otáček za minutu) vytahován z kapalné taveniny na zárodku vysoce kvalitního materiálu, nejčastěji wolframu (materiál s vysokým bodem tání).
=== Zonální tavba v lodičče ===
| |||