CMOS: Porovnání verzí
Smazaný obsah Přidaný obsah
m Bot: Odstranění 36 odkazů interwiki, které jsou nyní dostupné na Wikidatech (d:q173431) |
m napřímení odkazu |
||
Řádek 8:
Mezi nejdůležitější vlastnosti CMOS patří vysoká odolnost proti [[šum]]u a nízká spotřeba ve statickém stavu. Více energie se spotřebovává pouze na přepínání mezi zapnutým a vypnutým stavem [[tranzistor]]u, proto CMOS nespotřebovává tolik energie jako například [[nMOS]] nebo [[TTL (logika)|TTL]]. CMOS také umožňuje vyšší hustotu prvků na čipu.
Trojice „metal-oxid-semiconductor“ odkazuje na fyzickou strukturu prvních (a dnes překvapivě také posledních) tranzistorů: [[Kovy|kov]]ová [[řídicí elektroda]] na izolantu z [[Oxidy|oxidu]] na [[polovodič|polovodivém materiálu]]. Místo kovu se dlouho - až do [[65nm]] technologie - používal jiný materiál, [[polysilikon]], ale přesto se termíny MOS a CMOS používaly jako odkaz na původní technologii. V dnešní době se kovové elektrody vrací s [[high-k]] [[dielektrikum|dielektriky]] ohlášenými firmami [[IBM]] a [[Intel]] pro nastupující [[45nm]] technologii.
== Historie ==
| |||