Soubor:CMOS fabrication process.svg

Původní soubor(soubor SVG, nominální rozměr: 512 × 2 176 pixelů, velikost souboru: 7 KB)

Popis

Popis
English: Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram can be scale.
Datum
Zdroj Vlastní dílo
Autor
Další verze
SVG vývoj
InfoField
 
Zdrojový kód tohoto SVG je validní.
 
Tento vektorový obrázek byl vytvořen programem unknown tool
 
 This icon uses embedded text that can be easily translated using a text editor.

Licence

Já, držitel autorských práv k tomuto dílu, ho tímto zveřejňuji za podmínek následujících licencí:
w:cs:Creative Commons
uveďte autora zachovejte licenci
Dílo smíte:
  • šířit – kopírovat, distribuovat a sdělovat veřejnosti
  • upravovat – pozměňovat, doplňovat, využívat celé nebo částečně v jiných dílech
Za těchto podmínek:
  • uveďte autora – Máte povinnost uvést autorství, poskytnout odkaz na licenci a uvést, pokud jste provedli změny. Toho můžete docílit jakýmkoli rozumným způsobem, avšak ne způsobem naznačujícím, že by poskytovatel licence schvaloval nebo podporoval vás nebo vaše užití díla.
  • zachovejte licenci – Pokud tento materiál jakkoliv upravíte, přepracujete nebo použijete ve svém díle, musíte své příspěvky šířit pod stejnou nebo slučitelnou licencí jako originál.
GNU head Tento dokument smí být kopírován, šířen nebo upravován podle podmínek Svobodné licence GNU pro dokumenty verze 1.2 nebo libovolné vyšší verze publikované nadací Free Software Foundation. Dokument nemá neměnné části ani texty na předním či zadním přebalu. Kopie textu licence je k dispozici v oddíle nazvaném GNU Free Documentation License.
Můžete si zvolit libovolnou z těchto licencí.

Popisky

Přidejte jednořádkové vysvětlení, co tento soubor představuje

Položky vyobrazené v tomto souboru

zobrazuje

d519d7e6f9b783385926d1dfe46ad6c2f3b773d6

7 225 bajt

2 176 pixel

512 pixel

Historie souboru

Kliknutím na datum a čas se zobrazí tehdejší verze souboru.

Datum a časNáhledRozměryUživatelKomentář
současná9. 10. 2011, 18:29Náhled verze z 9. 10. 2011, 18:29512 × 2 176 (7 KB)Cmglee{{Information |Description ={{en|1=Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram is

Tento soubor používá následující stránka:

Globální využití souboru

Tento soubor využívají následující wiki:

Metadata